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公开(公告)号：CN112534563A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051947.6
申请日：2019-06-14
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 用于衬底处理系统的排放系统包含：自由基产生器，其构造成接收包含卤素物质的气体混合物并产生卤素自由基；第一泵，其从处理室的排放出口抽出废气；以及第一阀，其被构造成选择性地将自由基产生器的出口流体地连接到处理室的出口下游的第一泵。
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公开(公告)号：CN108461374B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201711372325.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 王德琪 , 刘刚 , 阿南德·查德拉什卡 , 杨宗翰 , 约翰·W·格里斯沃尔德
Abstract: 本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。晶片内均匀性和晶片间均匀性得到改善。
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公开(公告)号：CN113594017B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202110637340.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 王德琪 , 刘刚 , 阿南德·查德拉什卡 , 杨宗翰 , 约翰·W·格里斯沃尔德
IPC: H01J37/32 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/08 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。晶片内均匀性和晶片间均匀性得到改善。
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公开(公告)号：CN113594017A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110637340.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 王德琪 , 刘刚 , 阿南德·查德拉什卡 , 杨宗翰 , 约翰·W·格里斯沃尔德
IPC: H01J37/32 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/08 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。晶片内均匀性和晶片间均匀性得到改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108461374A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201711372325.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 王德琪 , 刘刚 , 阿南德·查德拉什卡 , 杨宗翰 , 约翰·W·格里斯沃尔德
CPC classification number: H01L21/76879 , C23C16/08 , C23C16/4554 , C23C16/45565 , H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J2237/3321 , H01L21/28562 , H01L21/67161 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。晶片内均匀性和晶片间均匀性得到改善。
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公开(公告)号：CN111989768B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880089300.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 袁光璧 , 泰迪亚斯·班福德 , 柯蒂斯·沃伦·贝利 , 托尼·考沙尔 , 克里希纳·比鲁 , 威廉·施洛瑟 , 达莫达·尚巴格 , 龚波 , 邱华檀 , 赖锋源 , 许晨华 , 杰弗里·霍恩 , 罗希特·哈雷 , 伦纳德·韦·丰·许 , 阿南德·查德拉什卡 , 安德鲁·H·布伦宁格 , 刘刚
IPC: H01L21/56 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 在非原位原子层沉积处理中形成保护涂层以涂覆一或多个后续被安装至反应室中的室部件，提供了与传统的涂覆方法如底涂层的原位沉积相比的许多优点。在某些情况下，保护涂层可具有特定的组成，如铝的氧化物、铝的氟化物、铝的氮化物、钇的氧化物和/或钇的氟化物。保护涂层可有助于减少利用经涂覆的室部件处理的晶片上的污染。另外，保护涂层可起作用以稳定反应室内的处理条件，由此在处理许多批次晶片的过程期间达到非常稳定/均匀的处理结果，并且最少化自由基损失。还描绘了许多可用于恢复在经涂覆的室部件用于处理半导体晶片之后的保护涂层的技术。
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公开(公告)号：CN113424308B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202080014189.3
申请日：2020-02-13
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 提供了用于半导体制造中的选择性抑制控制的系统和方法。一种示例性方法包括提供包括具有特征内部和一个或多个特征开口的特征的衬底。在特征内部的表面上形成成核层。基于差异化抑制轮廓，在成核层的表面上选择性地形成非保形本体层以留下由非保形本体层覆盖的成核层的区域，以及未覆盖的成核层的区域。在成核层的覆盖和未覆盖区域上选择性地形成抑制层。根据差异化抑制轮廓将钨沉积在特征中。
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公开(公告)号：CN115362531A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025794.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 本文提供了用金属填充特征的方法，其包括抑制金属成核。还提供了增强抑制的方法和减少或消除金属成核抑制的方法。
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公开(公告)号：CN115151680A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016023.X
申请日：2021-02-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/54 , C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/768
Abstract: 本文提供了在半导体晶片的边缘区域处控制处理均匀性的方法及装置。在一些实施方案中，所述方法包括提供背侧抑制气体而作为沉积‑抑制‑沉积(DID)序列的一部分。
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