公开(公告)号：CN104513973A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410513782.9

申请日：2014-09-29

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 斯利士·K·雷迪 ,  季春海 ,  陈欣怡 ,  普拉莫德·苏布拉莫尼姆

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  C23C16/26

Abstract: 提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性、低应力的可灰化硬膜的方法。在某些实施方式中，所述方法涉及在使用双射频等离子体源沉积可灰化硬膜期间在保持高频射频功率恒定的同时使低频射频功率脉动。根据各种实施方式，低频射频功率可以在非零水平之间脉动或者通过开启和关闭低频射频功率而脉动。所得的沉积的高选择性可灰化硬膜由于一个或多个因素可以具有减小的应力，这些因素包括在可灰化硬膜上减少的离子和原子轰击以及陷入可灰化硬膜中更低水平的氢。

公开(公告)号：CN104513973B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201410513782.9

申请日：2014-09-29

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 斯利士·K·雷迪 ,  季春海 ,  陈欣怡 ,  普拉莫德·苏布拉莫尼姆

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

Abstract: 提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性、低应力的可灰化硬膜的方法。在某些实施方式中，所述方法涉及在使用双射频等离子体源沉积可灰化硬膜期间在保持高频射频功率恒定的同时使低频射频功率脉动。根据各种实施方式，低频射频功率可以在非零水平之间脉动或者通过开启和关闭低频射频功率而脉动。所得的沉积的高选择性可灰化硬膜由于一个或多个因素可以具有减小的应力，这些因素包括在可灰化硬膜上减少的离子和原子轰击以及陷入可灰化硬膜中更低水平的氢。

公开(公告)号：CN114514602A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080067825.9

申请日：2020-09-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿施施·索拉卜 ,  卡尔·弗雷德里克·利瑟 ,  陈欣怡 ,  穆克什·达米·辛格 ,  特洛伊·戈姆 ,  蒂莫西·斯科特·托马斯 ,  柯蒂斯·W·贝利

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

Abstract: 一种用于衬底支撑件的台板的热屏包括本体和吸收‑反射‑传输区域。所述吸收‑反射‑传输区域与所述本体接触，并被配置成进行下列至少一者：影响或调整介于远端基准表面与所述台板之间的热流图案的至少一部分。所述吸收‑反射‑传输区域包括可调式方面以调整所述热流图案的所述至少一部分。

公开(公告)号：CN109023311B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201810585572.9

申请日：2014-09-29

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 斯利士·K·雷迪 ,  季春海 ,  陈欣怡 ,  普拉莫德·苏布拉莫尼姆

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/26

Abstract: 提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性、低应力的可灰化硬膜的方法。在某些实施方式中，所述方法涉及在使用双射频等离子体源沉积可灰化硬膜期间在保持高频射频功率恒定的同时使低频射频功率脉动。根据各种实施方式，低频射频功率可以在非零水平之间脉动或者通过开启和关闭低频射频功率而脉动。所得的沉积的高选择性可灰化硬膜由于一个或多个因素可以具有减小的应力，这些因素包括在可灰化硬膜上减少的离子和原子轰击以及陷入可灰化硬膜中更低水平的氢。

公开(公告)号：CN109023311A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810585572.9

申请日：2014-09-29

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 斯利士·K·雷迪 ,  季春海 ,  陈欣怡 ,  普拉莫德·苏布拉莫尼姆

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

Abstract: 提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性、低应力的可灰化硬膜的方法。在某些实施方式中，所述方法涉及在使用双射频等离子体源沉积可灰化硬膜期间在保持高频射频功率恒定的同时使低频射频功率脉动。根据各种实施方式，低频射频功率可以在非零水平之间脉动或者通过开启和关闭低频射频功率而脉动。所得的沉积的高选择性可灰化硬膜由于一个或多个因素可以具有减小的应力，这些因素包括在可灰化硬膜上减少的离子和原子轰击以及陷入可灰化硬膜中更低水平的氢。