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公开(公告)号:CN113678237A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202080026510.X
申请日:2020-02-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 阿德里安·拉沃伊 , 拉维·库马尔 , 杨诺亚 , 苏陈妙妙 , 阿施施·索拉卜
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/033 , C23C16/458
Abstract: 提供衬底处理系统,其包括衬底支撑件、存储器、校准模块、操作参数模块和求解模块。衬底支撑件支撑衬底并且包括温度控制元件。存储器存储用于所述温度控制元件的温度校准值和灵敏度校准值。校准模块在所述温度控制元件的校准期间执行:第一校准过程,其用于确定所述温度校准值,或第二校准过程,其用于确定所述灵敏度校准值。所述灵敏度校准值用于将修整量或将沉积量中的至少一者关联至温度变化。操作参数模块基于所述温度校准值和所述灵敏度校准值来确定用于所述温度控制元件的操作参数。求解模块在所述温度控制元件的所述校准后,基于所述操作参数而在修整步骤或沉积步骤中的至少一者期间控制所述温度控制元件的操作。
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公开(公告)号:CN111357094A
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201880074453.5
申请日:2018-11-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 亚伦·宾汉 , 阿施施·索拉卜 , 拉维·库马尔 , 詹尼弗·利·佩特拉利亚
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 一种被配置成在衬底上进行沉积处理包括衬底支撑件,衬底支撑件包括多个区域以及布置在整个所述多个区域的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域中的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器。控制器被配置成在所述沉积处理期间控制所述多个电阻加热器,以选择性地调整所述多个区域内的温度。
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公开(公告)号:CN115720631A
公开(公告)日:2023-02-28
申请号:CN202180045807.5
申请日:2021-06-22
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 阿施施·索拉卜 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟
IPC: G01R19/252
Abstract: 一种装置可包含能测量耦合至装置的一或多个处理站的功率的一或多个测量传感器。所述装置可额外包含耦合至一或多个测量传感器中的对应一者的输出端口的一或多个模数转换器,所述模数转换器可以提供通过一或多个测量传感器所测量到的RF信号的数字表示。耦合至存储器的处理器可确定信号的数字表示与参考信号水平的相交点,并且可因此确定RF信号的频率内容及特性,其可使一或多个测量传感器的相位迟延失效。
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公开(公告)号:CN114514602A
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202080067825.9
申请日:2020-09-24
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 阿施施·索拉卜 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 陈欣怡 , 穆克什·达米·辛格 , 特洛伊·戈姆 , 蒂莫西·斯科特·托马斯 , 柯蒂斯·W·贝利
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 一种用于衬底支撑件的台板的热屏包括本体和吸收‑反射‑传输区域。所述吸收‑反射‑传输区域与所述本体接触,并被配置成进行下列至少一者:影响或调整介于远端基准表面与所述台板之间的热流图案的至少一部分。所述吸收‑反射‑传输区域包括可调式方面以调整所述热流图案的所述至少一部分。
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公开(公告)号:CN118648097A
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202380019410.8
申请日:2023-01-24
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 斯蒂芬·托平 , 帕特里克·G·布莱琳 , 谢尔盖·格奥尔吉耶维奇·别洛斯托茨基 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 蒂莫西·斯科特·托马斯 , 穆罕默德·瓦希迪 , 行则崎山 , 大卫·弗伦奇 , 米纳克斯·马穆努鲁 , 阿施施·索拉卜 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆 , 诺亚·埃利奥特·贝克
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 提供静电卡盘(ESC)装置和方法。ESC可具有一或更多个卡盘电极以及围绕卡盘电极的阻断电极。阻断电极可减少使用ESC执行的半导体处理操作中的不均匀性。在某些实现方案中,阻断电极位于卡盘电极下方。
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公开(公告)号:CN114269969A
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN202080058573.3
申请日:2020-06-22
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 亚伦·宾汉 , 阿施施·索拉卜 , 阿德里安·拉沃伊 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 拉维·库马尔
IPC: C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 一种处理半导体衬底的系统包含:衬底支撑件组件,其被配置成支撑所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含:M个电阻加热器,其被分别设置于所述衬底支撑件组件的层中的M个区段中,其中M为大于1的整数。所述层邻近于所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含:N个温度传感器,其被设置于所述层中的N个位置处,其中N为大于1且小于或等于M的整数。所述系统还包括:控制器,其被配置成基于由所述N个温度传感器中的一者所感测的温度和所述M个区段中的一或多者的平均温度而控制所述M个电阻加热器中的一或多者。
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