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公开(公告)号：CN117915744A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311709882.4
申请日：2023-12-13
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高热电半导体器件高温环境使用寿命的方法，旨在解决热电半导体器件耐高温性能不佳的不足。该发明包括以下步骤：S1，将晶棒切片形成晶片；S2，在晶片上下表面上加工阻挡层；S3，在阻挡层上加工焊接层；S4，将晶片切割成一定尺寸的热电元件；S5，在热电元件非金属化的侧面上加工膜层，使热电元件侧面被膜层包裹；焊接时，将S5制得的热电元件上下两端面分别与两基板进行焊接，制得热电半导体器件。本专利的技术方案能阻挡过量的Sn与热电半导体元件表面直接接触，抑制Cu、Sn元素的扩散，从而增强热电半导体器件在高温环境下使用时性能的稳定性，有利于提高使用寿命。
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公开(公告)号：CN115558997A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211145380.9
申请日：2022-09-20
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
Abstract: 本发明涉及碲化铋基热电材料领域，为解决现有技术下提高碲化铋基材料的机械性能的工艺步骤复杂、设备要求高、制备成本高的问题，公开了一种提高碲化铋基热电材料机械性能的制备方法，包括如下步骤（1）将制备碲化铋的原料粉末混合后在真空中熔炼得到铸锭；（2）将铸锭破碎得到粉体；（3）将粉体在真空氛围下进行热挤压得到挤压晶棒；其中纳米SiC在步骤（1）中加入与碲化铋的原料粉末混合后熔炼，或者在步骤（2）中铸锭破碎后加入与粉体混合。该制备方法得到的碲化铋热电材料功率因子不恶化，力学性能好，并且制备工艺简便，对装置要求不高，得到材料批次间均一性好，可工业化生产。
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公开(公告)号：CN115478275B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202211025443.7
申请日：2022-08-25
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
Abstract: 本发明涉及碲化铋加工废材的回收技术领域，公开一种去除碲化铋加工废材镀镍镀锡层的清洁液，包括脱镀层液，以100%计，所述脱镀层液含有以下质量占比的各组分：硝酸5%～60%、氢氟酸5%～30%、硫酸5%～20%、硼酸5%～10%、表面活性剂0.1%～5%，余量为水。本发明提供的清洁液能够有效脱除碲化铋废材表面的锡、镍，且不引入材质，回收的材料干净，完全不同于传统的湿法冶金进行单个元素分离提纯的方法，回收工艺简单；且回收的碲化铋加工废材可以直接用于制备碲化铋晶棒，所得碲化铋晶棒的性能较佳，能够满足使用需求，提高了碲化铋材料的利用率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN115483340A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211144552.0
申请日：2022-09-20
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
Abstract: 本发明涉及热电器件表面处理技术领域，为解决现有技术下阻挡层对铜元素扩散的阻挡效果较差，导致热电器件高温稳定性差的问题，公开了一种用于增强热电器件高温高稳定性的阻挡层，所述阻挡层包括与基体材料接触的过渡层，设置在缓冲层之上的元素扩散阻挡层，以及设置在元素扩散阻挡层之上的焊接过渡层。本发明使用“三明治”结构阻挡层，可在高温下有效阻挡铜元素扩散至热电器件的基材中，阻挡时间长，可提高热电器件的稳定性以及使用寿命；阻挡层与热电器件的基材结合效果好，不易产生裂缝，还可提高热电器件基材与电极之间的焊接效果。本发明还公开了一种制备用于增强热电器件高温高稳定性的阻挡层的方法，该方法操作简单，各层厚度易控制。
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公开(公告)号：CN115478275A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211025443.7
申请日：2022-08-25
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
Abstract: 本发明涉及碲化铋加工废材的回收技术领域，公开一种去除碲化铋加工废材镀镍镀锡层的清洁液，包括脱镀层液，以100%计，所述脱镀层液含有以下质量占比的各组分：硝酸5%～60%、氢氟酸5%～30%、硫酸5%～20%、硼酸5%～10%、表面活性剂0.1%～5%，余量为水。本发明提供的清洁液能够有效脱除碲化铋废材表面的锡、镍，且不引入材质，回收的材料干净，完全不同于传统的湿法冶金进行单个元素分离提纯的方法，回收工艺简单；且回收的碲化铋加工废材可以直接用于制备碲化铋晶棒，所得碲化铋晶棒的性能较佳，能够满足使用需求，提高了碲化铋材料的利用率，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118114438A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311803097.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F30/398 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种热电半导体器件寿命预测方法，旨在解决TEC寿命预测无法根据TEC实际应用场景以及产品结构特征在较短的时间内预测出器件的实际使用寿命的不足。该发明利用热电半导体器件寿命影响因子建立数学模型，通过数学模型预测热电半导体器件的寿命，热电半导体器件寿命影响因子包括：温度循环频率，在一个循环周期内热电半导体器件冷面最高温度与最低温度的差值，热电半导体器件热面的最高温度，热电半导体器件因温度失效激活能，热电半导体器件组成部分半导体元件尺寸影响因子，循环频率和温差影响参数因子。通过本专利的方法能够快速预测出热电半导体器件寿命。
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公开(公告)号：CN117915742A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311592195.9
申请日：2023-11-27
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/817 , H10N10/10
Abstract: 本发明公开了一种提升热电半导体发电器件耐温的工艺方法，旨在解决热电半导体发电器件的耐受温度低的不足。该发明包括：热电半导体表面处理，在热电半导体表面最外层加工出能与ZnAl焊料浸润相容的第一焊接层；基板处理，基板最外层表面上设置能与ZnAl焊料浸润相容的第二焊接层；焊接，采用ZnAl焊料将热电半导体和基板进行焊接，使第一焊接层和第二焊接层与ZnAl焊料浸润相容焊接在一起。本专利申请的技术方案能提升热电半导体发电器件的耐受温度，增加产品的温差，提升产品的发电效率和适应性。
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公开(公告)号：CN117721541A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311583386.9
申请日：2023-11-24
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种P型晶棒切割泥回收再利用方法，旨在解决晶棒切割过程中，因切割缝损失在15%‑50%，导致晶棒利用率低的不足。该发明包括以下步骤：S1，烘干晶棒切割泥；S2，将烘干后的晶棒切割泥装入玻璃管中，并将玻璃管封闭；S3，将玻璃管装载到加热炉内进行加热，使玻璃管内的晶棒切割泥熔化；S4，玻璃管冷却到室温后敲碎，得到熔炼好的分层的块体；S5，敲击块体上部使氧化物从块体上脱落下来，使块体成为熔炼块；S6，将熔炼块装入玻璃管中，并在玻璃管中添加Sb和Bi，封闭玻璃管；S7，将玻璃管装载到摇摆炉熔炼，冷却后敲碎玻璃管得到制备晶棒的原料块。它提高了晶棒的利用率，节省了材料的使用成本。
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公开(公告)号：CN116322260A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211089230.0
申请日：2022-09-07
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
Abstract: 本发明涉及热电器件表面封装技术领域，为解决现有技术下胶水封装影响热电器件性能，并且气密性保持时间短使得热电器件使用寿命缩短的问题，公开了一种通过电泳涂装的热电器件表面封装方法，包括如下步骤：（1）将热电器件表面活化后钝化；（2）将钝化的热电器件浸入电泳液中通电进行电泳封装；（3）将电泳封装后的热电器件清洗后固化。本发明可将热电器件中每个热电元件独立封装，可为热电器件提供一个稳定的工作环境，延长热电器件的使用寿命，同时还可减少封装后热电器件的热损失，进而提高热电器件性能。
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公开(公告)号：CN115537908A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211145361.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司
Abstract: 本发明涉及热电半导体材料领域，针对材料纳米化过程中造成额外污染的问题，提供一种高性能碲化铋基热电材料的制备方法，包括下列步骤：1）将碲化铋基合金铸锭进行区熔定向凝固，得到晶棒；2）将步骤1）得到的晶棒进行热变形得到块体材料，变形量大于1，单轴压力下进行热变形，压力方向垂直于区熔晶棒织构方向。本发明通过自上而下的方法，对区熔块体材料进行热变形，避免了材料细化造成的污染，直接在块体材料内引入纳米缺陷，细化晶粒，降低材料热导率，提高材料力学性能和热电性能。
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