公开(公告)号：CN1107342C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97192931.9

申请日：1997-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大国充弘 ,  久吴俊介 ,  佐佐木智幸 ,  立岩健二 ,  二河秀夫

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种图案形成方法是在基底膜(11)的上面加上有机防反射膜(12)后，在有机防反射膜(12)的上面形成抗蚀剂图案(15)，以抗蚀剂图案(15)为掩膜对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻、形成防反射膜图案，用含带有S成分的气体的蚀刻气体如SO2/O2组合的蚀刻气体或者COS/O2组合的蚀刻气体对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻的由抗蚀膜作成的抗蚀剂图案形成的图案形成方法。

公开(公告)号：CN1213456A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN97192931.9

申请日：1997-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大国充弘 ,  久吴俊介 ,  佐佐木智幸 ,  立岩健二 ,  二河秀夫

IPC: H01L21/302 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种模样形成方法是在基底膜(11)的上面加上有机防反射膜(12)后,在有机防反射膜(12)的上面形成抗蚀剂模样(15),以抗蚀剂模样(15)为掩膜对有机防反射膜(12)进行干式蚀刻、形成防反射膜模样,用含带有S成分的气体的蚀刻气体如SO2/O2组合的蚀刻气体或者COS/O2组合的蚀刻气体对有机防反射膜(12)进行干式蚀刻的由抗蚀膜作成的抗蚀剂模样形成的模样形成方法。