公开(公告)号：CN1267976C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN03155900.X

申请日：2003-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  原田刚史 ,  二井一志 ,  岸田刚信 ,  池田敦 ,  辻和则

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种生产半导体器件的方法。在该方法中，在一层具有晶体结构的势垒膜上形成第一导电薄膜之后，在第一导电膜上形成第二导电膜。其后，加热第一导电膜和第二导电膜使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。根据本发明的方法，由于避免了由于应力迁移而出现缺陷，所以改进了布线可靠性，提高了半导体器件的产品成品率。

公开(公告)号：CN1489188A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03155900.X

申请日：2003-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  原田刚史 ,  二井一志 ,  岸田刚信 ,  池田敦 ,  辻和则

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种生产半导体器件的方法。在该方法中，在一层具有晶体结构的势垒膜上形成第一导电薄膜之后，在第一导电膜上形成第二导电膜。其后，加热第一导电膜和第二导电膜使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。根据本发明的方法，由于避免了由于应力迁移而出现缺陷，所以改进了布线可靠性，提高了半导体器件的产品成品率。