公开(公告)号：CN1489188A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03155900.X

申请日：2003-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  原田刚史 ,  二井一志 ,  岸田刚信 ,  池田敦 ,  辻和则

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种生产半导体器件的方法。在该方法中，在一层具有晶体结构的势垒膜上形成第一导电薄膜之后，在第一导电膜上形成第二导电膜。其后，加热第一导电膜和第二导电膜使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。根据本发明的方法，由于避免了由于应力迁移而出现缺陷，所以改进了布线可靠性，提高了半导体器件的产品成品率。

公开(公告)号：CN1109214A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94117305.4

申请日：1994-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田岳人 ,  平尾秀司 ,  矢野航作

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C14/0073 ,  C23C14/564 ,  H01L21/76843

Abstract: 在真空室内连续地供给半导体衬底，在该半导体衬底上形成具有欧姆特性并且是低电阻的接触部件。在配置了钛靶2的真空室1内供给氩气并在硅衬底3上淀积钛膜5，之后，在真空室1内供给掺氮的氩气并在钛膜5上淀积氮化钛膜6。此后，在真空室1内再次供给氩气，在除去附着在靶2表面的氮的同时在氮化钛膜6上淀积钛和氮的混合层9。

公开(公告)号：CN1674231A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510070437.3

申请日：2003-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  C25D3/00

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D7/123 ,  C25D21/00 ,  C25D21/04

Abstract: 本发明提供一种基板的镀膜方法及镀膜装置，在镀液(106)中，通过高速旋转基板(101)去除吸附在基板(101)被镀面的Cu籽晶膜(104)表面上的气泡(105)。然后，在镀液(106)中，通过低速旋转基板(101)在Cu籽晶膜(104)上生长镀Cu膜(107)。由此可防止在镀膜中因被镀面吸附的气泡而产生的缺陷。

公开(公告)号：CN1082249C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96102504.2

申请日：1996-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  冈田英子 ,  矢野航作

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/10 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L21/822 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明中，首先在绝缘性基片上形成第1铝布线，在硅氧化膜上形成的开口部内形成由钨电极和含硅铝合金电极构成的基本单元。然后在硅氧化膜上形成与第1铝布线正交的多条线状的第2铝布线。在多条第1、第2铝布线的各交点配置基本单元，构成存储单元阵列。当大电流流过基本单元时，铝合金电极中的硅在界面附近析出，电阻值增大。反向的大电流流过时，硅扩散、阻值下降。通过用微小电流检测该电阻值的高低，读出数据。

公开(公告)号：CN1119345A

公开(公告)日：1996-03-27

申请号：CN95116832.0

申请日：1995-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉山龙男 ,  平尾秀司 ,  矢野航作 ,  野村登

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80141 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 在于第1半导体衬底的表面上形成第1电极和第1电极所用的绝缘膜的同时，在第2半导体衬底的表面上形成第2电极和第2电极所用的绝缘膜。在第1半导体衬底的表面上形成具有一定周期的剖面为锯齿形的带状凹凸图形，同时在第2半导体衬底的表面上形成对第1半导体衬底的表面的凹凸图形相移180度的带状凹凸图形。使第1半导体衬底与第2半导体衬底在表面的凹凸图形相互咬合的状态下相互结合。

公开(公告)号：CN1271683C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03147542.6

申请日：2003-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D7/123 ,  C25D21/00 ,  C25D21/04

Abstract: 本发明提供一种基板的镀膜方法及镀膜装置，在镀液(106)中，通过高速旋转基板(101)去除吸附在基板(101)被镀面的Cu籽晶膜(104)表面上的气泡(105)。然后，在镀液(106)中，通过低速旋转基板(101)在Cu籽晶膜(104)上生长镀Cu膜(107)。由此可防止在镀膜中因被镀面吸附的气泡而产生的缺陷。

公开(公告)号：CN1267976C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN03155900.X

申请日：2003-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  原田刚史 ,  二井一志 ,  岸田刚信 ,  池田敦 ,  辻和则

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种生产半导体器件的方法。在该方法中，在一层具有晶体结构的势垒膜上形成第一导电薄膜之后，在第一导电膜上形成第二导电膜。其后，加热第一导电膜和第二导电膜使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。根据本发明的方法，由于避免了由于应力迁移而出现缺陷，所以改进了布线可靠性，提高了半导体器件的产品成品率。

公开(公告)号：CN1480988A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03147542.6

申请日：2003-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D7/123 ,  C25D21/00 ,  C25D21/04

Abstract: 本发明提供一种基板的镀膜方法及镀膜装置，在镀液(106)中，通过高速旋转基板(101)去除吸附在基板(101)被镀面的Cu籽晶膜(104)表面上的气泡(105)。然后，在镀液(106)中，通过低速旋转基板(101)在Cu籽晶膜(104)上生长镀Cu膜(107)。由此可防止在镀膜中因被镀面吸附的气泡而产生的缺陷。

公开(公告)号：CN1136222A

公开(公告)日：1996-11-20

申请号：CN96102504.2

申请日：1996-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  冈田英子 ,  矢野航作

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/10 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L21/822 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明中，首先在绝缘性基片上形成第1铝布线，在硅氧化膜上形成的开口部内形成由钨电极和含硅铝合金电极构成的基本单元。然后在硅氧化膜上形成与第1铝布线正交的多条线状的第2铝布线。在多条第1、第2铝布线的各交点配置基本单元，构成存储单元阵列。当大电流流过基本单元时，铝合金电极中的硅在界面附近析出，电阻值增大。反向的大电流流过时，硅扩散、阻值下降。通过用微小电流检测该电阻值的高低，读出数据。