公开(公告)号：CN1397989A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02106181.5

申请日：2002-04-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田英朗

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种堆积膜的平坦化方法，在半导体衬底10上的层间绝缘膜11上形成布线沟12之后，在包括布线沟12的内表面在内的层间绝缘膜11的表面上形成阻挡金属层13。在阻挡金属层13上形成铜的种子层14之后，通过电解法使种子层14成长来堆积铜膜15。对铜膜15进行CMP的第1阶段而得到平坦化的铜膜15A之后，对平坦化的铜膜15A进行CMP的第2阶段，从而形成嵌入式布线15B，然后，除去阻挡金属层13中的存在于布线沟12的外侧的部分。将铜膜15的厚度设定为布线沟12的深度的1.6～2.0倍。能降低CMP的过分研磨完成时产生的凹状扭曲。

公开(公告)号：CN1505110A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310118802.4

申请日：2003-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田英朗

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B49/00 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 一种化学机械研磨方法及化学机械研磨装置，在研磨形成在衬底(13)上的铜和阻碍金属，形成嵌入铜布线的CMP工序中，使打磨压力为29g/cm2，打磨研磨布(12)，而使研磨布的表面粗糙度为3μm以上5μm以下。由此，在不使铜或阻碍金属的研磨速度下降的前提下，比以往降低铜布线的凹陷。

公开(公告)号：CN1257534C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN02106181.5

申请日：2002-04-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田英朗

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种淀积膜的平坦化方法，在半导体衬底10上的层间绝缘膜11上形成布线沟12之后，在包括布线沟12的内表面在内的层间绝缘膜11的表面上形成阻挡金属层13。在阻挡金属层13上形成铜的籽晶层14之后，通过电解法使籽晶层14成长来堆积铜膜15。对铜膜15进行CMP的第1阶段而得到平坦化的铜膜15A之后，对平坦化的铜膜15A进行CMP的第2阶段，从而形成嵌入式布线15B，然后，除去阻挡金属层13中的存在于布线沟12的外侧的部分。将铜膜15的厚度设定为布线沟12的深度的1.6～2.0倍。能降低CMP的过分研磨完成时产生的凹状扭曲。

公开(公告)号：CN1220259C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02156991.6

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨中雅司 ,  原田刚史 ,  吉田英朗 ,  上田哲也

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后，在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽(111)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))与布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨除去了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113)及(114)之后，再通过研磨，除去各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。之后，在除去了在研磨时基板(100)上粘附的异物之后，使用与在铜膜(113)及(114)的研磨工序中所使用的相同种类的研磨剂对ARL膜(110)的表面进行研磨。从而可防止在绝缘膜以及绝缘膜上的ARL膜中埋入的布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1428843A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02156991.6

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨中雅司 ,  原田刚史 ,  吉田英朗 ,  上田哲也

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后，在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽(111)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))与布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨除去了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113)及(114)之后，再通过研磨，除去各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。之后，在除去了在研磨时基板(100)上粘附的异物之后，使用与在铜膜(113)及(114)的研磨工序中所使用的相同种类的研磨剂对ARL膜(110)的表面进行研磨。从而可防止在绝缘膜以及绝缘膜上的ARL膜中埋入的布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1428842A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02156990.8

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田英朗 ,  上田哲也 ,  滨中雅司 ,  原田刚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/952 ,  Y10S438/959

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后，在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽(111)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))与布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨除去了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113)及(114)之后，再通过研磨，除去各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。之后，在除去了在研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对ARL膜(110)的表面进行研磨。从而可防止在绝缘膜以及绝缘膜上的ARL膜中埋入的布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1428841A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02156986.X

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原田刚史 ,  吉田英朗 ,  上田哲也 ,  滨中雅司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)上形成多个布线用沟槽(110)，然后在FSG膜(109)上依次堆积能够将各布线用沟槽110完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(111))及布线用导电膜(铜膜(112)及(113))。其后，在通过研磨去除了各布线用沟槽(110)外侧的铜膜(112、113)之后，再研磨去除各布线用沟槽(110)外侧的氮化钽膜(111)。然后，在去除了研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对FSG膜(109)的表面进行研磨。通过本发明的布线结构形成方法可防止在绝缘膜上埋入的相邻布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1220258C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02156990.8

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田英朗 ,  上田哲也 ,  滨中雅司 ,  原田刚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/952 ,  Y10S438/959

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后，在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽(111)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))与布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨除去了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113)及(114)之后，再通过研磨，除去各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。之后，在除去了在研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对ARL膜(110)的表面进行研磨。从而可防止在绝缘膜以及绝缘膜上的ARL膜中埋入的布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1207773C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN02158807.4

申请日：2002-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲也 ,  滨中雅司 ,  原田刚史 ,  吉田英朗

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽111完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))及布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨去除了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113、114)之后，再研磨去除各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。然后，在去除了研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对ARL膜(110)的表面进行研磨。通过本发明的布线结构形成方法可防止被埋入在绝缘膜以及在其上面的ARL膜中的相邻布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1198331C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02156986.X

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原田刚史 ,  吉田英朗 ,  上田哲也 ,  滨中雅司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)上形成多个布线用沟槽(110)，然后在FSG膜(109)上依次堆积能够将各布线用沟槽(110)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(111))及布线用导电膜(铜膜(112)及(113))。其后，在通过研磨去除了各布线用沟槽(110)外侧的铜膜(112、113)之后，再研磨去除各布线用沟槽(110)外侧的氮化钽膜(111)。然后，在去除了研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对FSG膜(109)的表面进行研磨。通过本发明的布线结构形成方法可防止在绝缘膜上埋入的相邻布线之间的短路。