公开(公告)号：CN1220259C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02156991.6

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨中雅司 ,  原田刚史 ,  吉田英朗 ,  上田哲也

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后，在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽(111)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))与布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨除去了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113)及(114)之后，再通过研磨，除去各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。之后，在除去了在研磨时基板(100)上粘附的异物之后，使用与在铜膜(113)及(114)的研磨工序中所使用的相同种类的研磨剂对ARL膜(110)的表面进行研磨。从而可防止在绝缘膜以及绝缘膜上的ARL膜中埋入的布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1510722A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310113165.1

申请日：2003-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨中雅司 ,  白樫卫吾 ,  伊藤史隆

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 一种包含采用CMP研磨基板的工序在内的半导体装置制造方法，为了实现抑制晶体表面发生损伤、划痕的目的，在研磨工序中，为了供给浆料使用了管式浆料供给泵(15)。在管式浆料供给泵(15)中，作为供给浆料的管道(12)使用了聚氯乙稀类管道。

公开(公告)号：CN1428843A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02156991.6

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨中雅司 ,  原田刚史 ,  吉田英朗 ,  上田哲也

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后，在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽(111)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))与布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨除去了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113)及(114)之后，再通过研磨，除去各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。之后，在除去了在研磨时基板(100)上粘附的异物之后，使用与在铜膜(113)及(114)的研磨工序中所使用的相同种类的研磨剂对ARL膜(110)的表面进行研磨。从而可防止在绝缘膜以及绝缘膜上的ARL膜中埋入的布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1428842A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02156990.8

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田英朗 ,  上田哲也 ,  滨中雅司 ,  原田刚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/952 ,  Y10S438/959

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后，在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽(111)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))与布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨除去了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113)及(114)之后，再通过研磨，除去各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。之后，在除去了在研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对ARL膜(110)的表面进行研磨。从而可防止在绝缘膜以及绝缘膜上的ARL膜中埋入的布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1428841A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02156986.X

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原田刚史 ,  吉田英朗 ,  上田哲也 ,  滨中雅司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)上形成多个布线用沟槽(110)，然后在FSG膜(109)上依次堆积能够将各布线用沟槽110完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(111))及布线用导电膜(铜膜(112)及(113))。其后，在通过研磨去除了各布线用沟槽(110)外侧的铜膜(112、113)之后，再研磨去除各布线用沟槽(110)外侧的氮化钽膜(111)。然后，在去除了研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对FSG膜(109)的表面进行研磨。通过本发明的布线结构形成方法可防止在绝缘膜上埋入的相邻布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1220258C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02156990.8

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田英朗 ,  上田哲也 ,  滨中雅司 ,  原田刚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/952 ,  Y10S438/959

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后，在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽(111)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))与布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨除去了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113)及(114)之后，再通过研磨，除去各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。之后，在除去了在研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对ARL膜(110)的表面进行研磨。从而可防止在绝缘膜以及绝缘膜上的ARL膜中埋入的布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1207773C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN02158807.4

申请日：2002-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲也 ,  滨中雅司 ,  原田刚史 ,  吉田英朗

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽111完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))及布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨去除了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113、114)之后，再研磨去除各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。然后，在去除了研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对ARL膜(110)的表面进行研磨。通过本发明的布线结构形成方法可防止被埋入在绝缘膜以及在其上面的ARL膜中的相邻布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1198331C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02156986.X

申请日：2002-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原田刚史 ,  吉田英朗 ,  上田哲也 ,  滨中雅司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)上形成多个布线用沟槽(110)，然后在FSG膜(109)上依次堆积能够将各布线用沟槽(110)完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(111))及布线用导电膜(铜膜(112)及(113))。其后，在通过研磨去除了各布线用沟槽(110)外侧的铜膜(112、113)之后，再研磨去除各布线用沟槽(110)外侧的氮化钽膜(111)。然后，在去除了研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对FSG膜(109)的表面进行研磨。通过本发明的布线结构形成方法可防止在绝缘膜上埋入的相邻布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1503332A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310116183.5

申请日：2003-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 白樫卫吾 ,  滨中雅司 ,  伊藤史隆

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B21/04

Abstract: 一种半导体晶片的研磨方法，在悬挂在旋转轴相互平行配置的2个滚轴(10)上的带状平板(11)的表面上，粘贴例如4块由聚氨脂构成的片状研磨垫(12)。粘贴时，使该研磨垫(12)的槽部(12a)的延伸方向都与平板(11)的行走方向一致，而且将沿该平板(11)的行走方向邻接的研磨垫(12)之间互留一定的间隔，并使槽部(12a)互不一致。从而可获得期望的平坦性。

公开(公告)号：CN1430262A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02158807.4

申请日：2002-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲也 ,  滨中雅司 ,  原田刚史 ,  吉田英朗

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明为一种布线结构的形成方法，在形成在基板(100)上的FSG膜(109)及ARL膜(110)上形成多个布线用沟槽(111)，然后在ARL膜(110)上依次堆积能够将各布线用沟槽111完全掩埋的屏障金属膜(氮化钽膜(112))及布线用导电膜(铜膜(113)及(114))。其后，在通过研磨去除了各布线用沟槽(111)外侧的铜膜(113、114)之后，再研磨去除各布线用沟槽(111)外侧的氮化钽膜(112)。然后，在去除了研磨时基板(100)上粘附的异物之后，对ARL膜(110)的表面进行研磨。通过本发明的布线结构形成方法可防止被埋入在绝缘膜以及在其上面的ARL膜中的相邻布线之间的短路。