公开(公告)号：CN102473726B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201180003332.X

申请日：2011-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  堀隆 ,  安达和广

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7838 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种MIS型半导体装置，其在半导体体区与栅绝缘膜之间具有半导体极性与半导体体区相反的沟道层，使该半导体装置的Vfb与该半导体装置的截止侧的极性的栅额定电压Vgcc-同等或在该值以下，由此将半导体体区表面附近被诱导的载流子电荷密度在该半导体装置的动作保证范围内抑制为指定量以下。

公开(公告)号：CN102473726A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180003332.X

申请日：2011-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  堀隆 ,  安达和广

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7838 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种MIS型半导体装置，其在半导体体区与栅绝缘膜之间具有半导体极性与半导体体区相反的沟道层，使该半导体装置的Vfb与该半导体装置的截止侧的极性的栅额定电压Vgcc-同等或在该值以下，由此将半导体体区表面附近被诱导的载流子电荷密度在该半导体装置的动作保证范围内抑制为指定量以下。

公开(公告)号：CN1111401A

公开(公告)日：1995-11-08

申请号：CN94118396.3

申请日：1994-11-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  赤松宽范 ,  赤松晋 ,  堀隆

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0218

Abstract: 一种半导体装置包括具有基底部分、栅极、源极和漏极的MIS晶体管；产生加于MIS晶体管基底部分的偏压的基底偏压产生电路；设置于MIS晶体管的基底部分和基底偏压产生电路之间、且两端电位在MIS晶体管工作和非工作时发生变化的电阻。MIS晶体管的基底偏压在工作时变浅，而非工作时变深，以自调整形式发生变化。因而，在工作时阈值降低、动作高速，而在非工作时，基底偏压变深而降低截止电流。可构成高速且功耗低的半导体装置。

公开(公告)号：CN1099130C

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN94118396.3

申请日：1994-11-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  赤松宽范 ,  赤松晋 ,  堀隆

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0218

Abstract: 一种半导体装置包括具有基底部分、栅极、源极和漏极的MIS晶体管；产生加于MIS晶体管基底部分的偏压的基底偏压产生电路；设置于MIS晶体管的基底部分和基底偏压产生电路之间、且两端电位在MIS晶体管工作和非工作时发生变化的电阻。MIS晶体管的基底偏压在工作时变浅，而非工作时变深，以自调整形式发生变化。因而，在工作时阈值降低、动作高速，而在非工作时，基底偏压变深而降低截止电流。可构成高速且功耗低的半导体装置。