公开(公告)号：CN1111401A

公开(公告)日：1995-11-08

申请号：CN94118396.3

申请日：1994-11-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  赤松宽范 ,  赤松晋 ,  堀隆

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0218

Abstract: 一种半导体装置包括具有基底部分、栅极、源极和漏极的MIS晶体管；产生加于MIS晶体管基底部分的偏压的基底偏压产生电路；设置于MIS晶体管的基底部分和基底偏压产生电路之间、且两端电位在MIS晶体管工作和非工作时发生变化的电阻。MIS晶体管的基底偏压在工作时变浅，而非工作时变深，以自调整形式发生变化。因而，在工作时阈值降低、动作高速，而在非工作时，基底偏压变深而降低截止电流。可构成高速且功耗低的半导体装置。

公开(公告)号：CN1956195A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610132140.X

申请日：2006-10-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川久 ,  粉谷直树 ,  赤松晋 ,  工藤千秋

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/49 ,  H01L21/822 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0251 ,  H01L28/20

Abstract: 一种半导体装置，其具备金属绝缘体半导体晶体管，该金属绝缘体半导体晶体管具有FUSI栅电极和多晶硅电阻体，其中多晶硅电阻体中设置在接触形成区域的部分与栅电极或杂质扩散区域同时被硅化物化。由此，提供一种具备FUSI电极和多晶硅电阻体且能够简便地制造的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN1112292A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN95101849.3

申请日：1995-02-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西尾干夫 ,  赤松晋 ,  奥田宁

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: MOS晶体管由栅绝缘膜(3)、栅电极(11)、栅电极两侧的一对侧壁绝缘膜(13)、其下的低浓度源·漏区(4)和高浓度源·漏区(16)构成。在侧壁绝缘膜和元器件隔离之间形成了凹部(22)，在凹部(22)的硅衬底(1)上形成用于减小电容的绝缘膜(14)，其上形成引出电极(15)，高浓度源·漏区和引出电极在侧壁绝缘膜和用于减小电容的绝缘膜之间电连接。源·漏区下面的PN结部分的电容减小，同时能确保与布线的接触面积，提高集成度。

公开(公告)号：CN1956222B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200610142449.7

申请日：2006-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤松晋

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 提供一种驱动力高的半导体装置。在半导体装置(11)的活性区域(10)形成有栅绝缘膜(13)及栅电极(14)。)在栅电极(14)的侧面上形成有具有L字型的剖面形状的侧壁(16)。在半导体衬底(11)中位于栅电极(14)及侧壁(16)的外侧的区域形成有源·漏区域(18)。在栅电极(14)的上面上及侧壁的表面上形成有具有应力的应力衬垫膜(19)。

公开(公告)号：CN101232019A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710167219.0

申请日：2007-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤松晋

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  Y10S257/90 ,  Y10S438/981

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，旨在能够实现使来自包覆绝缘膜的应力充分传递到沟道区域、且在包括不同导电型晶体管的半导体装置中不需要进行包覆绝缘膜的去除工序等的半导体装置。半导体装置包括形成在半导体衬底(11)上的多个第一MIS晶体管(12A)和多个第二MIS晶体管(12B)及在栅极长度方向上施加应力的包覆绝缘膜(25)。各个第一MIS晶体管(12A)具有剖面为L字形的第一L型侧壁，各个第二MIS晶体管(12B)具有剖面为L字形的第二L型侧壁和外侧侧壁(18)。包覆绝缘膜(25)的形成在第二源漏极区域(22B)上的部分的膜厚最小值大于形成在第一源漏极区域(22A)上的部分的膜厚最小值。

公开(公告)号：CN1956222A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610142449.7

申请日：2006-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤松晋

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 提供一种驱动力高的半导体装置。在半导体装置(11)的活性区域(10)形成有栅绝缘膜(13)及栅电极(14)。在栅电极(14)的侧面上形成有具有L字型的剖面形状的侧壁(16)。在半导体衬底(11)中位于栅电极(14)及侧壁(16)的外侧的区域形成有源·漏区域(18)。在栅电极(14)的上面上及侧壁的表面上形成有具有应力的应力衬垫膜(19)。

公开(公告)号：CN1099130C

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN94118396.3

申请日：1994-11-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  赤松宽范 ,  赤松晋 ,  堀隆

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0218

Abstract: 一种半导体装置包括具有基底部分、栅极、源极和漏极的MIS晶体管；产生加于MIS晶体管基底部分的偏压的基底偏压产生电路；设置于MIS晶体管的基底部分和基底偏压产生电路之间、且两端电位在MIS晶体管工作和非工作时发生变化的电阻。MIS晶体管的基底偏压在工作时变浅，而非工作时变深，以自调整形式发生变化。因而，在工作时阈值降低、动作高速，而在非工作时，基底偏压变深而降低截止电流。可构成高速且功耗低的半导体装置。