公开(公告)号：CN1259734C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN02811802.2

申请日：2002-06-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  石桥明彦 ,  辻村步 ,  大信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01S5/34333

Abstract: 在由氮化镓(GaN)构成的基板(11)上，形成由至少含有铝的氮化物半导体构成的小面形成层(12)。在小面形成层(12)的表面上，形成相对C面倾斜的小面，选择生长层(13)从该倾斜的小面，沿横向生长。其结果是，可使选择生长层(13)、和由在其上生长的n型AlGaN构成的n型包覆层(14)实质上晶格匹配，比如，通过晶体生长，获得没有裂缝的发生的激光器结构。