公开(公告)号：CN1112292A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN95101849.3

申请日：1995-02-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西尾干夫 ,  赤松晋 ,  奥田宁

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: MOS晶体管由栅绝缘膜(3)、栅电极(11)、栅电极两侧的一对侧壁绝缘膜(13)、其下的低浓度源·漏区(4)和高浓度源·漏区(16)构成。在侧壁绝缘膜和元器件隔离之间形成了凹部(22)，在凹部(22)的硅衬底(1)上形成用于减小电容的绝缘膜(14)，其上形成引出电极(15)，高浓度源·漏区和引出电极在侧壁绝缘膜和用于减小电容的绝缘膜之间电连接。源·漏区下面的PN结部分的电容减小，同时能确保与布线的接触面积，提高集成度。