公开(公告)号：CN104106142A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380008456.6

申请日：2013-01-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 清泽努 ,  工藤千秋 ,  富田祐贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/049 ,  H01L21/223 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L21/0475

Abstract: 半导体装置的制造方法包括：在基板的主面形成具有第1导电型的第1半导体区域的半导体层的工序；以及在半导体层形成底部位于第1半导体区域内的沟槽的工序。该制造方法还包括：通过退火处理使沟槽的上部角部的半导体层的一部分向沟槽的底部上移动，由此形成覆盖沟槽的底部的第2导电型的沟槽底部杂质区域的工序。