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公开(公告)号：CN1991798A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610172858.1
申请日：2006-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/123 , G06F2212/2022
Abstract: 一种半导体存储装置，包括：铁电存储器；SRAM 30；计数器41；CAM 10，其判断被请求从铁电存储器读出的数据块是否存储在SRAM 30中；存储控制单元51，如果判断结果为否定，则其执行控制以从铁电存储器读出所请求的数据块，并将读出的数据块的副本存储到与由计数器41所表示的计数值相对应的SRAM 30中的单元存储区域中；以及计数器控制单元52，其导致计数器41在每次判断结果为否定时更新计数值。
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公开(公告)号：CN100524190C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610006751.X
申请日：2006-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F1/3225 , G06F1/206 , G06F1/324 , G06F1/3275 , G06F1/3296 , Y02D10/126 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/172
Abstract: 本发明的存储器系统包括具有非易失性存储器的存储装置和对存储装置进行存取的存取装置，所述存储装置包括：检测部件，检测存储装置的温度；决定部件，根据检测出的温度来决定工作条件；以及通知部件，将决定的工作条件通知所述存取装置，所述存取装置包括：接口部件，连接存储装置；以及控制部件，根据由存储装置通知的工作条件来控制接口部件。
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公开(公告)号：CN101118516A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710107336.8
申请日：2007-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F13/1668 , G06F2212/7203 , G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种可快速写入数据的非易失性存储装置。在非易失性存储器(130)中，数据按照单位区域写入。第1存储部(122)用于保持从存取装置(110)输入的数据，CPU部121将保持在第1存储部(122)的每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器，将保持在上述第1存储部的不满上述单位区域的数据保持到第2存储部，对于保持在第2存储部中的数据，也将每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN1822228A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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公开(公告)号：CN1700473A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101483063A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810160828.8
申请日：2008-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , H01L27/11509 , H01L27/11592 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置及其制造方法。包括铁电存储器(102)的半导体存储装置(10)还包括在高温下保持数据的能力比铁电存储器(102)在高温下保持数据的能力强的非易失性存储器(103)，以及进行切换而使铁电存储器(102)及非易失性存储器(103)互相连接或者不连接的连接电路(104)。铁电存储器(102)通过连接电路(104)接收并保持已写入非易失性存储器(103)中的、该装置特有的数据的至少一部分。因此，能够防止已写入铁电存储器中的信息通过铁电存储器的制造工序中的加热处理消失。
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公开(公告)号：CN100501867C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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公开(公告)号：CN100437819C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22 , H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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公开(公告)号：CN101042674A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710085534.9
申请日：2007-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7203 , G06F2212/7205
Abstract: 本发明涉及非易失性存储装置及其数据写入方法，上述非易失性存储装置从外部输入作为扇区单位的数据的输入数据，包括：非易失性的主记忆存储器，以比上述扇区单位大的页单位进行数据的写入；辅助记忆存储器，至少保存页单位量的上述输入数据；存储器判断单元，判断上述辅助记忆存储器是否保存了上述页单位以上的数据；在由上述存储器判断单元判断为上述辅助记忆存储器保存了上述页单位以上的数据的情况下，存储器控制单元以上述页单位将保存在上述辅助记忆存储器中的数据写入上述主记忆存储器的新页中。
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公开(公告)号：CN1811690A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610006751.X
申请日：2006-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F1/3225 , G06F1/206 , G06F1/324 , G06F1/3275 , G06F1/3296 , Y02D10/126 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/172
Abstract: 本发明的存储器系统包括具有非易失性存储器的存储装置和对存储装置进行存取的存取装置，所述存储装置包括：检测部件，检测存储装置的温度；决定部件，根据检测出的温度来决定工作条件；以及通知部件，将决定的工作条件通知所述存取装置，所述存取装置包括：接口部件，连接存储装置；以及控制部件，根据由存储装置通知的工作条件来控制接口部件。
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