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公开(公告)号：CN1574289A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410079416.3
申请日：2004-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/82
CPC classification number: G06F17/5022 , G01R31/318357 , G01R31/31928
Abstract: 本发明包括：基于电路信息通过计算电源端的一个半导体集成电路的每个实例的电压波形并且分析每个实例的电压波形，从而形成电压波形信息的步骤，通过抽象电压波形信息来形成电压抽象信息的步骤，以及基于电压抽象信息来计算实例的一个延迟值的步骤。
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公开(公告)号：CN1622097A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095888.8
申请日：2004-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G01R29/26
Abstract: 根据半导体集成电路的设计数据，计算与电源布线相关的一个阻抗，并根据所计算出的阻抗，分析电源噪声的频率特性。在阻抗计算中，可以计算不同电位的电源，例如，主电源和地之间的阻抗。或者，可以计算在电位基本相同的电源，例如，主电源和N阱电源之间的阻抗。所计算出的阻抗包括电源布线之间的布线电容、衬底电阻、连接到所述电源布线的封装阻抗等。因此，能够提供在设计过程的较早阶段用较小的计算量进行地分析半导体集成电路的电源噪声的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591431A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410011947.9
申请日：2004-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 在用于半导体集成电路的衬底噪声分析中，结合包括大规模RC电路网络的衬底的阻抗/电源电阻，计算在电路传到其上的模拟电路中输入到衬底的电流量以及衬底电势波动花费很长的时间。在计算传到电源/地线的电流时，通过分别对于栅级电平模拟中逻辑改变中的上升/下降，将具有与功率消耗相对应的面积的三角形相加而减少了计算量。通过在块、实例或同时发生的操作的基础上加和电流、界面电容、界面电阻、电源电阻、地线电阻、电源电压波动和地线电压波动，减少了计算量。由于减少了计算量，所以施加衬底噪声分析花费较短的周期。此外，还减少了用于计算的元件，因此可以将衬底噪声分析施加到大规模半导体集成电路上。
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公开(公告)号：CN100367286C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410095888.8
申请日：2004-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G01R29/26
Abstract: 根据半导体集成电路的设计数据，计算与电源布线相关的一个阻抗，并根据所计算出的阻抗，分析电源噪声的频率特性。在阻抗计算中，可以计算不同电位的电源，例如，主电源和地之间的阻抗。或者，可以计算在电位基本相同的电源，例如，主电源和N阱电源之间的阻抗。所计算出的阻抗包括电源布线之间的布线电容、衬底电阻、连接到所述电源布线的封装阻抗等。因此，能够提供在设计过程的较早阶段用较小的计算量进行地分析半导体集成电路的电源噪声的方法。
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公开(公告)号：CN100336066C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200510007078.7
申请日：2005-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 根据半导体集成电路的掩模布图信息(31)，分别对电源配线的电阻值(Rline)、去耦电容的电阻值(Rcap)、及晶体管的电阻值(Rmos)进行计算。根据电源配线的电阻值(Rline)、去耦电容的电阻值(Rcap)及晶体管的电阻值(Rmos)，对外部端子间的电阻值(Ri)进行计算。从而能够以比现有技术更高的精度、更短的时间，对半导体集成电路的内部电阻值进行计算。
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公开(公告)号：CN1654967A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510007078.7
申请日：2005-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 根据半导体集成电路的掩模布图信息(31)，分别对电源配线的电阻值(Rline)、去耦电容的电阻值(Rcap)、及晶体管的电阻值(Rmos)进行计算。根据电源配线的电阻值(Rline)、去耦电容的电阻值(Rcap)及晶体管的电阻值(Rmos)，对外部端子间的电阻值(Ri)进行计算。从而能够以比现有技术更高的精度、更短的时间，对半导体集成电路的内部电阻值进行计算。
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公开(公告)号：CN1637745A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410082184.7
申请日：2004-12-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/5063
Abstract: 根据一个半导体集成电路的设计数据来计算电源线的阻抗，获得所计算出的阻抗的频率特性，并根据所获得的频率特性来更改所述半导体集成电路的设计。作为上述阻抗，可以计算电势不同的电源例如电源和地之间的阻抗，或者可以计算电势基本相同的电源例如电源和N－阱电源之间的阻抗。通过设计修改，改变了例如布线方法、焊盘数量、电源的隔离、封装类型、电感元件的特性、衬底结构、布线之间的距离、去耦电容、布线的长度和电阻元件的特性。
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