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公开(公告)号:CN103262669A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201180060594.X
申请日:2011-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/181 , B23K1/19 , B23K35/0261 , B23K35/24 , B23K35/262 , C22C13/00 , H05K3/3442 , H05K3/3452 , H05K3/3463 , H05K3/3484 , H05K13/0465 , H05K2201/0989 , H05K2201/099 , H05K2201/10636 , H05K2203/1476 , Y02P70/611 , Y02P70/613
Abstract: 本发明提供一种耐热疲劳特性得到了提高的安装结构体。该安装结构体(107)包括:具有基板电极(101)的基板(100)、具有元器件电极(104)的电子元器件(103)、以及对基板电极(101)和元器件电极(104)进行接合的接合部(109),接合部(109)具有焊料强化区域(106)、以及焊料接合区域(105),焊料强化区域(106)是接合部(109)的侧面区域,并且是含有3wt%以上、8wt%以下的In、且含有88wt%以上的Sn的区域,焊料接合区域(105)是含有Sn-Bi类的焊料材料、并且In在0wt%以上、3wt%以下的区域。
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公开(公告)号:CN102281751B
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201110138310.6
申请日:2011-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/111 , H05K3/3442 , H05K3/3484 , H05K2201/09381 , H05K2201/0939 , H05K2201/09663 , H05K2201/09745 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , Y02P70/613
Abstract: 本发明公开的安装结构体在利用SMT方式制作安装结构体时,抑制助焊剂的过热所引起的焊料流动,抑制焊球的产生。安装结构体(18)包括具有至少设置了一个电极缺口部(12)的基板电极(11)和抗蚀层(13)的绝缘基板(10)、具有与基板电极进行电接合的电子元器件电极(16)的电子元器件(15)、以及配置在基板电极的表面上以用于基板电极和电子元器件电极的焊料接合的焊料糊料(17),在设电极缺口部的宽度为h、深度为x时,电极缺口部(12)具有0<h(μm)≤x(μm)+75(μm)的关系,电极缺口部(12)形成为从位于电子元器件电极的下方的、基板电极的区域(100)的端部或基板电极的区域(100)的内侧到基板电极的外周侧面,电极缺口部(12)未到达位于电子元器件的下方的、基板电极的外周侧面。
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公开(公告)号:CN102281751A
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201110138310.6
申请日:2011-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/111 , H05K3/3442 , H05K3/3484 , H05K2201/09381 , H05K2201/0939 , H05K2201/09663 , H05K2201/09745 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , Y02P70/613
Abstract: 本发明公开的安装结构体在利用SMT方式制作安装结构体时,抑制助焊剂的过热所引起的焊料流动,抑制焊球的产生。安装结构体(18)包括具有至少设置了一个电极缺口部(12)的基板电极(11)和抗蚀层(13)的绝缘基板(10)、具有与基板电极进行电接合的电子元器件电极(16)的电子元器件(15)、以及配置在基板电极的表面上以用于基板电极和电子元器件电极的焊料接合的焊料糊料(17),在设电极缺口部的宽度为h、深度为x时,电极缺口部(12)具有0<h(μm)≤x(μm)+75(μm)的关系,电极缺口部(12)形成为从位于电子元器件电极的下方的、基板电极的区域(100)的端部或基板电极的区域(100)的内侧到基板电极的外周侧面,电极缺口部(12)未到达位于电子元器件的下方的、基板电极的外周侧面。
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公开(公告)号:CN111822698A
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN202010319568.5
申请日:2020-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种形成耐热性高的接合部的接合材料和接合结构体。在2个对象物之间形成接合部的接合材料包含以下物质而成:(1)包含第一金属而成、且中值粒径为20nm~1μm的第一金属粒子;以及(2)包含选自Bi、In及Zn中的至少1种与Sn的合金的至少1种作为第二金属而成、且具有200℃以下的熔点的第二金属粒子,在构成第一金属的金属元素与源自第二金属粒子的Sn之间形成金属间化合物,该金属间化合物的熔点比第二金属粒子的熔点高并且比第一金属粒子的熔点低,第一金属粒子的量相对于第一金属粒子及第二金属粒子的总量的比例以质量基准计为36%~70%。
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公开(公告)号:CN112108453A
公开(公告)日:2020-12-22
申请号:CN202010556783.7
申请日:2020-06-17
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 松下电器产业株式会社
IPC: B08B3/12
Abstract: 本发明提供一种超声波处理装置以及超声波处理方法,能够有效且均匀地对被处理物进行超声波处理。超声波处理装置,用于对被处理物进行超声波处理,包含:处理槽,其装入第1液体;流路,其被配置成在所述处理槽内与所述第1液体接触,并且流过被处理物以及第2液体;以及超声波谐振器,其被设置于所述处理槽,所述流路具有间隔地与从所述超声波谐振器发出的超声波的行进方向至少相交2次,该间隔是该超声波的波长的1/2的整数倍±5%以内。
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