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公开(公告)号：CN1890801A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036090.4
申请日：2004-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/10
CPC classification number: H01L23/26 , H01L2224/16225
Abstract: 通过用粘接剂(3、103)或金属层(103、251)接合装配有电子元件(71、171、261)的第1容器部件(9、109、212)和第2容器部件(2、102、202)，而形成内部空间(90、190、211)，能够在低温下将所述电子元件密闭在所述内部空间内。在使用粘接剂的情况下，用金属膜(4)覆盖粘接剂的露出面，实现所述内部空间的密闭性。进一步，在所述第2容器部件中也能装配电子元件(261、272)，能够实现电子元件封装的高密度化。
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公开(公告)号：CN100570911B9
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200680010655.0
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，排列有形成在n电极层上的1个n凸起、以及形成在p电极层上的多个p凸起，通过将n凸起在设置安装后最难发生应力的凸起排列的中心，能够抑制与p凸起相比个数较少的n凸起中的安装后接合不良的发生。通过采用这种凸起排列构成，能够在大型化的半导体发光元件中，提高发光强度的均匀性，并提高其安装中的可靠性。
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公开(公告)号：CN100440490C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200480036090.4
申请日：2004-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/10
CPC classification number: H01L23/26 , H01L2224/16225
Abstract: 通过用粘接剂(3、103)或金属层(103、251)接合装配有电子元件(71、171、261)的第1容器部件(9、109、212)和第2容器部件(2、102、202)，而形成内部空间(90、190、211)，能够在低温下将所述电子元件密闭在所述内部空间内。在使用粘接剂的情况下，用金属膜(4)覆盖粘接剂的露出面，实现所述内部空间的密闭性。进一步，在所述第2容器部件中也能装配电子元件(261、272)，能够实现电子元件封装的高密度化。
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公开(公告)号：CN101027795A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032696.5
申请日：2005-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明的LED芯片(1)具有如下结构：n型半导体层(12)和p型半导体层(13)相继形成在元件衬底(11)的下表面上，p型半导体层(13)形成在除用于n电极的区域(12a)之外的区域上。第一n电极(14)形成在用于n电极的区域(12a)上，第一p电极(15)形成在p型半导体层(13)上。具有开口(16a)和(16b)的第一绝缘层(16)形成在第一n电极(14)和第一p电极(15)上，具有实质上相同尺寸的第二n电极(17)和第二p电极(18)形成在第一绝缘层(16)上。采用这种配置，可以使n型半导体层(12)上的电极大，从而可以通过使用焊料(31)以低成本执行将LED芯片(1)安装到电路板(40)上的安装工艺。
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公开(公告)号：CN1703138B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200510073982.8
申请日：2005-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/328 , B23K20/10 , B23K2101/40 , H01L2224/75 , H05K3/3489 , H05K2203/0285
Abstract: 本发明提供一种接合装置及接合方法。该接合装置具备保持电子部件的吸附管嘴、将电路基板与所述电子部件相面对地保持的基板台架、以及可以配置在定位状态的所述电子部件和所述电路基板之间的照射位置的准分子紫外线灯。在此种接合装置中，在利用所述准分子紫外线灯同时向所述电子部件的金突起及所述电路基板的基板电极照射紫外线而进行了两金属部分的清洗处理后，在使两金属部分相互接触的状态下赋予超声波振动，进行两金属部分的金属接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100570911C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200680010655.0
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/08 , H01L24/17 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/05166 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，排列有形成在n电极层上的1个n凸起、以及形成在p电极层上的多个p凸起，通过将n凸起在设置安装后最难发生应力的凸起排列的中心，能够抑制与p凸起相比个数较少的n凸起中的安装后接合不良的发生。通过采用这种凸起排列构成，能够在大型化的半导体发光元件中，提高发光强度的均匀性，并提高其安装中的可靠性。
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公开(公告)号：CN100435297C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410104787.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/4985 , H01L21/563 , H01L24/28 , H01L24/81 , H01L29/0657 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81136 , H01L2224/81203 , H01L2224/81208 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 在本发明的半导体装置中，以能完全防止薄膜基板上形成的电极与半导体元件端部安装时等接触的方式，在具有电极的薄膜基板至少一面安装的半导体元件中，在与电极相对的面的所需位置处形成绝缘保护部，把半导体元件和薄膜基板间的距离设定为至少10微米以上。
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公开(公告)号：CN111822698A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010319568.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种形成耐热性高的接合部的接合材料和接合结构体。在2个对象物之间形成接合部的接合材料包含以下物质而成：(1)包含第一金属而成、且中值粒径为20nm～1μm的第一金属粒子；以及(2)包含选自Bi、In及Zn中的至少1种与Sn的合金的至少1种作为第二金属而成、且具有200℃以下的熔点的第二金属粒子，在构成第一金属的金属元素与源自第二金属粒子的Sn之间形成金属间化合物，该金属间化合物的熔点比第二金属粒子的熔点高并且比第一金属粒子的熔点低，第一金属粒子的量相对于第一金属粒子及第二金属粒子的总量的比例以质量基准计为36％～70％。
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公开(公告)号：CN101369560B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810169256.X
申请日：2004-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/26 , H01L2224/16225
Abstract: 通过用粘接剂(3、103)或金属层(103、251)接合装配有电子元件(71、171、261)的第1容器部件(9、109、212)和第2容器部件(2、102、202)，而形成内部空间(90、190、211)，能够在低温下将所述电子元件密闭在所述内部空间内。在使用粘接剂的情况下，用金属膜(4)覆盖粘接剂的露出面，实现所述内部空间的密闭性。进一步，在所述第2容器部件中也能装配电子元件(261、272)，能够实现电子元件封装的高密度化。
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公开(公告)号：CN100487931C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200580032696.5
申请日：2005-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明的LED芯片(1)具有如下结构：n型半导体层(12)和p型半导体层(13)相继形成在元件衬底(11)的下表面上，p型半导体层(13)形成在除用于n电极的区域(12a)之外的区域上。第一n电极(14)形成在用于n电极的区域(12a)上，第一p电极(15)形成在p型半导体层(13)上。具有开口(16a)和(16b)的第一绝缘层(16)形成在第一n电极(14)和第一p电极(15)上，具有实质上相同尺寸的第二n电极(17)和第二p电极(18)形成在第一绝缘层(16)上。采用这种配置，可以使n型半导体层(12)上的电极大，从而可以通过使用焊料(31)以低成本执行将LED芯片(1)安装到电路板(40)上的安装工艺。
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