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公开(公告)号：CN103098189B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180043623.1
申请日：2011-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/41725 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/872
Abstract: 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。
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公开(公告)号：CN103098189A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043623.1
申请日：2011-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/41725 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/872
Abstract: 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。
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公开(公告)号：CN110476232A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880023381.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/337 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812 , H03K17/687
Abstract: 本发明的目的是提供能够以提高的稳定性进行开关操作的双向开关，并且还提供包括这样的双向开关的双向开关装置。双向开关(8a)包括：第一横向晶体管(1)，其包括在第一导电层(10)的面上的第一半导体层(11)；第二横向晶体管(2)，其包括在第二导电层(20)的面上的第二半导体层(21)；连接构件(5a)；第一导体构件(61a)；以及第二导体构件(62a)。连接构件(5a)将第一横向晶体管(1)和第二横向晶体管(2)反向串联地连接在一起。第一导体构件(61a)将第一横向晶体管(1)的第一源极电极(1S)电气连接至第一导电层(10)。第二导体构件(62a)将第二横向晶体管(2)的第二源极电极(2S)电气连接至第二导电层(20)。
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