公开(公告)号：CN102214701A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110042078.6

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 清水顺 ,  好田慎一 ,  山田康博 ,  胁田尚英 ,  石田昌宏

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，可提高在Si基板上形成的氮化物半导体元件的生产性和工作特性。氮化半导体元件具备：在硅基板(101)上隔着初始层(102)形成变形抑制层(110)、在变形抑制层上形成的工作层(120)。变形抑制层(110)具有：第1分隔层(111)、在第1分隔层上相接形成的第2分隔层(112)、在第2分隔层上相接形成的超晶格层(113)。第1分隔层的晶格常数比第2分隔层大。超晶格层中交替层叠了第1层(113A)以及晶格常数比第1层小的第2层(113B)。超晶格层的平均晶格常数比第1分隔层的晶格常数小，并且比第2分隔层的晶格常数大。

公开(公告)号：CN110476232A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880023381.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雄介 ,  山田康博 ,  一柳贵志 ,  梅田英和

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明的目的是提供能够以提高的稳定性进行开关操作的双向开关，并且还提供包括这样的双向开关的双向开关装置。双向开关(8a)包括：第一横向晶体管(1)，其包括在第一导电层(10)的面上的第一半导体层(11)；第二横向晶体管(2)，其包括在第二导电层(20)的面上的第二半导体层(21)；连接构件(5a)；第一导体构件(61a)；以及第二导体构件(62a)。连接构件(5a)将第一横向晶体管(1)和第二横向晶体管(2)反向串联地连接在一起。第一导体构件(61a)将第一横向晶体管(1)的第一源极电极(1S)电气连接至第一导电层(10)。第二导体构件(62a)将第二横向晶体管(2)的第二源极电极(2S)电气连接至第二导电层(20)。

公开(公告)号：CN103155124A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048171.6

申请日：2011-07-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 好田慎一 ,  石田昌宏 ,  山田康博

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具有依次形成于基板(1)之上的第1氮化物半导体层(3)、第2氮化物半导体层(4)、第3氮化物半导体层(5)及第4氮化物半导体层(6)。在第3氮化物半导体层(5)中的与第4氮化物半导体层(6)的界面附近形成蓄积有载流子的沟道。第2氮化物半导体层(4)的带隙比第3氮化物半导体层(5)的带隙大。第1氮化物半导体层(3)，其带隙与第2氮化物半导体层(4)的带隙相同或比其大，且被导入比第2氮化物半导体层(4)更高浓度的碳。