公开(公告)号：CN102334181A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200980157498.X

申请日：2009-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中健一郎 ,  上田哲三 ,  松尾尚庆 ,  引田正洋

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/52 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L23/053 ,  H01L23/562 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/225 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L2224/72 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00

Abstract: 晶体管安装体的制造方法具备：形成晶体管(100)的步骤(a)；对形成基板(101)进行研磨的步骤(b)；和将对形成基板(101)进行了研磨后的晶体管(100)固定于保持基板(200)的步骤(c)。步骤(a)在形成基板(101)的主面上依次形成第1半导体层以及比该第1半导体层带隙大的第2半导体层。步骤(b)对形成基板(101)的与主面相反侧的面进行研磨。步骤(c)在将形成基板(101)的翘曲变小的方向的应力施加于形成基板(101)的状态下将晶体管(100)固定于保持基板(200)上。

公开(公告)号：CN102224581A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146363.3

申请日：2009-11-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中健一郎 ,  上田哲三 ,  松尾尚庆 ,  引田正洋

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475

Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制电流崩塌的场效应晶体管，作为场效应晶体管的HEMT(100)，包括：由第一氮化物半导体构成的第一半导体层(103)；以及由第二氮化物半导体构成的第二半导体层(104)，该第二半导体层被形成在第一半导体层(103)上，并且第二氮化物半导体的禁带宽度比第一氮化物半导体大，第一半导体层(103)具有，穿透位错密度在层叠方向增大的区域。