公开(公告)号：CN103053015A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180038572.3

申请日：2011-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹤见直大 ,  中泽敏志 ,  梶谷亮 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：被设于基板(101)上且由III-V族氮化物半导体构成的缓冲层(102)；被设于缓冲层(102)上且由III-V族氮化物半导体构成的第1半导体层(103)；被设于第1半导体层(103)上且由III-V族氮化物半导体构成的第2半导体层(104)；被设于基板(101)的背面上且与接地连接的背面电极(111)；在第2半导体层104上被设置成相互分离开的源电极(132)及漏电极(134)；被设于第2半导体层(104)上的栅电极(136)；以及贯通第2半导体层(104)、第1半导体层(103)、及缓冲层(102)并至少抵达基板(101)且使源电极(132)与背面电极(111)电连接的插塞(109)。

公开(公告)号：CN110168745A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780082127.4

申请日：2017-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  田村聪之 ,  宇治田信二 ,  平下奈奈子 ,  小川雅弘 ,  梶谷亮

IPC: H01L31/12

Abstract: 半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。

公开(公告)号：CN102265474A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152766.9

申请日：2009-12-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梶谷亮 ,  田村聪之 ,  春日井秀纪

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 氮化物半导体装置具备：在基板(101)上形成的第一氮化物半导体层(107)、在第一氮化物半导体层(107)上形成的缺陷导入层(108)、以及在缺陷导入层(108)上接触形成的具有露出缺陷导入层(108)的开口部的第二氮化物半导体层(109)。缺陷导入层(108)与第一氮化物半导体层(107)以及第二氮化物半导体层(109)相比，结晶缺陷密度较大。