公开(公告)号：CN111344842A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880073367.2

申请日：2018-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  田村聪之 ,  平下奈奈子

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(100)具备：基板(110)；在基板(110)的上方被依次设置的漂移层(120)及阻挡层(130)；栅极开口部(140)，贯通阻挡层(130)而延伸到漂移层(120)；被依次设置的电子传输层(150)及电子供给层(151)，具有位于阻挡层(130)的上方的部分和沿着栅极开口部(140)的内表面的部分；栅极电极(170)，以覆盖栅极开口部(140)的方式而被设置；源极开口部(160)，贯通电子传输层(150)及电子供给层(151)而延伸到阻挡层(130)；源极电极(180S)，被设置在源极开口部(160)；以及漏极电极(180D)，被设置在基板(110)的背面侧，在平面视的情况下，栅极开口部(140)的长度方向上的端部(143)的轮廓(143a)的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。

公开(公告)号：CN103493205A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018873.4

申请日：2012-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  按田义治

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/08 ,  H01L29/152 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475

Abstract: 一种肖特基二极管，具有：半导体层层叠体，其包括在基板(1)上形成的GaN层(4b)、以及在该GaN层上形成并且与GaN层相比带隙更大的AlGaN层(4a)；阳极电极(6)以及阴极电极(7)，它们在该半导体层层叠体上相互隔开间隔地形成；以及阻挡层(5)，在阳极电极(6)与阴极电极(7)之间的区域形成为与AlGaN层相接。阳极电极的一部分以不与AlGaN层的表面相接的方式形成在阻挡层上。阳极电极与阻挡层的势垒高度大于阳极电极与AlaN层的势垒高度。

公开(公告)号：CN103038869A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037480.3

申请日：2011-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胁田尚英 ,  田中健一郎 ,  石田昌宏 ,  田村聪之 ,  柴田大辅

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作电压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。

公开(公告)号：CN103003948A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180034849.5

申请日：2011-04-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L29/452 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种二极管，其具备半导体层叠层体(102)、在半导体层叠层体(102)之上彼此空出间隔而形成的阴极电极(103)及阳极电极(104)、以及覆盖半导体层叠层体(102)之上的保护膜(106)。半导体层叠层体(102)包含第1氮化物半导体层(121)以及带隙大于第1半导体层(121)的第2氮化物半导体层(122)，且具有沟道。阳极电极(104)具有：在半导体层叠层体(102)之上形成的p型的第3氮化物半导体层(143)、与第3氮化物半导体层(143)欧姆接触的第1金属层(141)、以及与第1金属层(141)接触且与沟道欧姆接触的第2金属层(142)。

公开(公告)号：CN110168745A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780082127.4

申请日：2017-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  田村聪之 ,  宇治田信二 ,  平下奈奈子 ,  小川雅弘 ,  梶谷亮

IPC: H01L31/12

Abstract: 半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。

公开(公告)号：CN102473647A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031046.X

申请日：2010-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法。氮化物半导体装置具有包括在基板(101)上依次形成的第一氮化物半导体层(104)及第二氮化物半导体层(105)的半导体层层叠体(103)。在半导体层层叠体(103)上选择性形成p型的第三氮化物半导体层(108)，在第三氮化物半导体层(108)上形成有栅电极(109)。在半导体层层叠体(103)上的第三氮化物半导体层(108)的两侧分别形成有第一欧姆电极(106)及第二欧姆电极(107)。第一栅电极(109)与第三氮化物半导体(108)进行肖特基接触。

公开(公告)号：CN111902920A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980021326.3

申请日：2019-02-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宇治田信二 ,  柴田大辅 ,  田村聪之

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(10)具备依次被设置的基板(12)；漂移层(14)；第1基础层(16)；到达漂移层(14)的栅极开口部(22)；沿着栅极开口部(22)的内表面设置的电子传输层(24)和电子供给层(26)；以覆盖栅极开口部(22)的方式设置的栅极电极(30)；延伸到第1基础层(16)的源极开口部(32)；被设置在源极开口部(32)并且与第1基础层(16)连接的源极电极(34)；被设置在基板(12)的背面侧的漏极电极(36)；在基板(12)的最外周部(48)，贯通电子传输层(24)和电子供给层(26)并延伸到第1基础层(16)的外周开口部(38)；被设置在外周开口部(38)，与第1基础层(16)连接，不与电子传输层(24)和电子供给层(26)接触的电位固定电极(40)。

公开(公告)号：CN103038869B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180037480.3

申请日：2011-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胁田尚英 ,  田中健一郎 ,  石田昌宏 ,  田村聪之 ,  柴田大辅

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作耐压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。

公开(公告)号：CN111886683A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980019884.6

申请日：2019-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川雅弘 ,  柴田大辅 ,  田村聪之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(10)具备：基板(12)；依次设置在基板(12)的第1主面(12a)上方的第1导电型的漂移层(14)以及第2导电型的第1基础层(16)；栅极开口部(22)，贯通第1基础层(16)并且延伸到漂移层(14)；电子传输层(26)，具有位于第1基础层(16)的上方的部分以及沿着栅极开口部(22)的内表面的部分；栅极电极(30)，被设置在电子传输层(26)的上方且覆盖栅极开口部(22)；源极电极(34)，与第1基础层(16)连接；漏极电极(36)，设置在基板(12)的第2主面(12b)侧；以及高电阻层(24)，由氮化物半导体构成，设置在栅极开口部(22)中的第1基础层(16)与电子传输层(26)之间，其电阻值比第1基础层(16)高。

公开(公告)号：CN102318048A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980156615.0

申请日：2009-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  森田竜夫 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：形成在基板(101)上的半导体层层叠体(105)、空出间隔地形成在半导体层层叠体(105)上的第一欧姆电极(111)及第二欧姆电极(113)、形成在第一欧姆电极(111)与第二欧姆电极(113)之间的第一控制层(117)、形成在第一控制层(117)上的第一栅电极(115)。第一控制层(117)具有：下层(117a)、形成在下层(117a)上且杂质浓度比下层(117a)的杂质浓度低的中层(117b)、形成在中层(117b)上且杂质浓度比中层(117b)的杂质浓度高的上层(117c)。