公开(公告)号：CN102214701A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110042078.6

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 清水顺 ,  好田慎一 ,  山田康博 ,  胁田尚英 ,  石田昌宏

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，可提高在Si基板上形成的氮化物半导体元件的生产性和工作特性。氮化半导体元件具备：在硅基板(101)上隔着初始层(102)形成变形抑制层(110)、在变形抑制层上形成的工作层(120)。变形抑制层(110)具有：第1分隔层(111)、在第1分隔层上相接形成的第2分隔层(112)、在第2分隔层上相接形成的超晶格层(113)。第1分隔层的晶格常数比第2分隔层大。超晶格层中交替层叠了第1层(113A)以及晶格常数比第1层小的第2层(113B)。超晶格层的平均晶格常数比第1分隔层的晶格常数小，并且比第2分隔层的晶格常数大。