公开(公告)号：CN1503332A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310116183.5

申请日：2003-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 白樫卫吾 ,  滨中雅司 ,  伊藤史隆

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B21/04

Abstract: 一种半导体晶片的研磨方法，在悬挂在旋转轴相互平行配置的2个滚轴(10)上的带状平板(11)的表面上，粘贴例如4块由聚氨脂构成的片状研磨垫(12)。粘贴时，使该研磨垫(12)的槽部(12a)的延伸方向都与平板(11)的行走方向一致，而且将沿该平板(11)的行走方向邻接的研磨垫(12)之间互留一定的间隔，并使槽部(12a)互不一致。从而可获得期望的平坦性。

公开(公告)号：CN1577758A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059216.1

申请日：2004-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 白樫卫吾 ,  松本宗之 ,  佐竹光成 ,  小林健司

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/205 ,  B24B21/04 ,  B24B37/013 ,  B24B53/017

Abstract: 本发明提供一种不引起损伤或破损的研磨半导体晶片的研磨方法、研磨垫及研磨装置，所述研磨装置，具有悬挂在旋转轴平行配置的2个辊(1)上的带状的定盘(2)、粘贴在定盘(2)上的多枚片状的研磨垫(3)、使研磨垫(3)活性化的修整器(7)，在研磨垫(3)的上端部中，与相邻的研磨垫对置的部分的角度成钝角。由此，由于研磨垫(3)不卡住修整器(7)，所以能够抑制研磨垫(3)产生损伤，能够无损伤地研磨半导体晶片。

公开(公告)号：CN1510722A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310113165.1

申请日：2003-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨中雅司 ,  白樫卫吾 ,  伊藤史隆

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 一种包含采用CMP研磨基板的工序在内的半导体装置制造方法，为了实现抑制晶体表面发生损伤、划痕的目的，在研磨工序中，为了供给浆料使用了管式浆料供给泵(15)。在管式浆料供给泵(15)中，作为供给浆料的管道(12)使用了聚氯乙稀类管道。