公开(公告)号：CN1574283A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047963.3

申请日：2004-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐竹光成 ,  松本宗之

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/304 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明公开了一种掩埋布线的形成方法及半导体器件，提供一种抑制发生布线不良、能够形成可靠性高的铜布线的掩埋布线的形成方法以及利用该形成方法而制造的半导体器件。在形成了沟槽的绝缘膜(10)上依次淀积氮化钽膜(11)、铜膜(12)，再利用对铜的研磨速率远远大于对氮化钽的研磨速率且含有足够的铜保护膜形成剂的浆液进行第一化学机械研磨。于是，沟槽内的铜膜的上面位置便与氮化钽膜的上面位置一样高。接着，再在对铜的研磨速率大于或等于对氮化钽的研磨速率的条件下进行第二化学机械研磨而形成铜布线(13)。通过根据铜膜的上面位置适当地改变第二化学机械研磨的条件，第二化学机械研磨后的铜膜的上面位置便与绝缘膜的上面位置一样高或者比它低，从而能减少布线不良的产生。

公开(公告)号：CN1591790A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056057.X

申请日：2004-08-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚英树 ,  宫田毅 ,  松本宗之 ,  河野宽

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。利用过氧化氢溶液氧化通过CMP工序在半导体衬底1上形成铜布线6之际所产生的残留物及布线间桥梁9而成为氧化铜以后，再利用草酸溶液溶解并除去氧化铜。这样一来，就可在不损伤铜布线6主体的情况下，除去残留异物及布线间桥梁9。结果是，进行完化学机械研磨之后，不会在铜布线的表面产生凹状缺陷，确实能除去由铜形成的布线间桥梁等污染物，制造出无短路、无断线的半导体器件。

公开(公告)号：CN1577758A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059216.1

申请日：2004-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 白樫卫吾 ,  松本宗之 ,  佐竹光成 ,  小林健司

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/205 ,  B24B21/04 ,  B24B37/013 ,  B24B53/017

Abstract: 本发明提供一种不引起损伤或破损的研磨半导体晶片的研磨方法、研磨垫及研磨装置，所述研磨装置，具有悬挂在旋转轴平行配置的2个辊(1)上的带状的定盘(2)、粘贴在定盘(2)上的多枚片状的研磨垫(3)、使研磨垫(3)活性化的修整器(7)，在研磨垫(3)的上端部中，与相邻的研磨垫对置的部分的角度成钝角。由此，由于研磨垫(3)不卡住修整器(7)，所以能够抑制研磨垫(3)产生损伤，能够无损伤地研磨半导体晶片。