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公开(公告)号：CN1088903C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN95118026.6
申请日：1995-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C04B2235/3251 , C04B2235/3267 , C04B2235/3418 , H01C1/024 , H01C1/034 , H01C1/142 , H01C17/006 , H01C17/02 , H01C17/28 , Y10T29/43 , Y10T29/49082 , Y10T29/49087 , Y10T29/49099
Abstract: 一种用于电子及电气设备的耐湿性优异的电子器件及其制造方法。在可变电阻元件1表面形成至少一对电极，在该电极形成部以外的可变电阻元件1的整个表面形成金属覆膜层后，在氧化气氛中进行热处理，形成由氧化上述金属覆膜层而成的金属氧化物保护层5，再在上述电极表面形成镀层4。
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公开(公告)号：CN1105473A
公开(公告)日：1995-07-19
申请号：CN94116266.4
申请日：1994-09-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01C7/112
Abstract: 现有的氧化锌可变电阻的制造方法，在高温下将压型体烧成后，必须烘烤电极。本发明对此作了改进和简化，而制得的可变电阻仍具有优异的诸特性。其方法是，在主成分氧化锌中至少加入辅助成分铋和锑，铋的含量以Bi2O3计，占所有成分总量的0.1～4.0mol％，锑的含量以Sb2O3计，Sb2O3/Bi2O3摩尔比≤1.0，混合后制成压型体，在压型体的两面用Ag糊或Ag-Pd糊等形成电极，于800～960℃将压型体和电极同时烧成。
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公开(公告)号：CN1220763A
公开(公告)日：1999-06-23
申请号：CN97195189.6
申请日：1997-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C17/02 , H01C7/102 , H01C7/112 , Y10T29/49085 , Y10T29/49089
Abstract: 本发明的目的是通过选择性地在可变电阻元件表面形成致密且具有均一厚度的高电阻层,以提供具备良好耐电镀性、耐湿性的可变电阻。为达到上述目的,本发明的可变电阻制造方法是:首先将以氧化锌为主成分的瓷片(1a)与内部电极(2)交替层叠,形成可变电阻元件(1),然后,在可变电阻元件(1)的两个端面涂布形成外部电极(3)的Ag电极糊,接着通过热处理对可变电阻元件(1)进行烧结,然后将可变电阻元件(1)埋入SiO2或其混合物(5)中,在空气中或氧氛围中,于600～950℃下再次进行热处理,历时5分钟～10小时。
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公开(公告)号：CN1129841A
公开(公告)日：1996-08-28
申请号：CN95118026.6
申请日：1995-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01C7/10
CPC classification number: C04B35/47 , C04B2235/3251 , C04B2235/3267 , C04B2235/3418 , H01C1/024 , H01C1/034 , H01C1/142 , H01C17/006 , H01C17/02 , H01C17/28 , Y10T29/43 , Y10T29/49082 , Y10T29/49087 , Y10T29/49099
Abstract: 一种用于电子及电气设备的耐湿性优异的电子零件及其制造方法，在可变电阻元件1表面形成至少一对电极，在该电极形成部以外的可变电阻元件1的整个表面形成金属覆膜层后，在氧化气氛中进行热处理，形成由氧化上述金属覆膜层而成的金属氧化物保护层5，再在上述电极表面形成镀层4。
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公开(公告)号：CN1053060C
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN94116266.4
申请日：1994-09-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01C7/112
Abstract: 现有的氧化锌变阻器的制造方法，在高温下将压型体烧成后，必须焙烧电极。本发明对此作了改进和简化，而制得的可变电阻仍具有优异的诸特性。其方法是，在主成分氧化锌中至少加入辅助成分铋和锑，铋的含量以Bi2O3计，占所有成分总量的0.1～4.0mol%，锑的含量以Sb2O3计，Sb2O3/Bi2O3摩尔比≤1.0，混合后制成压型体，在压型体的两面用Ag膏或Ag－Pd膏等形成电极，于800～960℃将压型体和电极同时烧成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1036228C
公开(公告)日：1997-10-22
申请号：CN93119062.2
申请日：1993-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B35/6262 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/666 , C04B2235/79 , H01C7/115 , H01C7/12
Abstract: 本发明是有关用于因噪声、脉冲、静电等异常高电压需保护IC、LSI等半导体器件的多层陶瓷电容器的制造方法，并且提供了一种利用降低元件阻抗，可改善除去、抑制信号线路中的高频噪声的多层陶瓷电容器。为达到上述目的，本发明在电极(2)之间至少施加1次脉冲电压，上述脉冲电压的条件是，最大值为50KV以下，从初始值到最大值的时间为200纳秒以下，从前述初始值经最大值回到初始值的时间为1微秒以下，能量为0.5焦耳以下。
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公开(公告)号：CN1235834C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN96112070.3
申请日：1996-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C04B35/64
Abstract: 一种陶瓷烧制方法，是把通过第一次烧制而增加了机械性强度的陶瓷成形体放入炉芯管内的圆筒形耐热容器中，在包含最高温度在内的特定温度范围内，使圆筒形耐热容器旋转，同时对陶瓷成形体进行第二次烧制。本发明可减少陶瓷成品的粘接、变形、碎片等外观次品的发生和特性波动，并可提高产量。
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公开(公告)号：CN1133180C
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN97195189.6
申请日：1997-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01C7/112
CPC classification number: H01C17/02 , H01C7/102 , H01C7/112 , Y10T29/49085 , Y10T29/49089
Abstract: 本发明的目的是通过选择性地在可变电阻元件表面形成致密且具有均一厚度的高电阻层，以提供具备良好耐电镀性、耐湿性的可变电阻。为达到上述目的，本发明的可变电阻制造方法是：首先将以氧化锌为主成分的瓷片(1a)与内部电极(2)交替层叠，形成可变电阻元件(1)，然后，在可变电阻元件(1)的两个端面涂布形成外部电极(3)的Ag电极糊，接着通过热处理对可变电阻元件(1)进行烧结，然后将可变电阻元件(1)埋入SiO2或其混合物(5)中，在空气中或氧氛围中，于600～950℃下再次进行热处理，历时5分钟～10小时。
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公开(公告)号：CN1151388A
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：CN96112070.3
申请日：1996-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C04B35/64
Abstract: 一种陶瓷烧制方法，是把通过第一次烧制而增加了机械性强度的陶瓷成型体放入炉芯管内的圆筒形耐热容器中，在包含最高温度在内的特定温度范围内，使圆筒形耐热容器旋转，同时对陶瓷成型体进行第二次烧制。本发明可减少陶瓷成品的粘接、变形、碎片等外观次品的发生和特性波动，并可提高产量。
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公开(公告)号：CN1087443A
公开(公告)日：1994-06-01
申请号：CN93119062.2
申请日：1993-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B35/6262 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/666 , C04B2235/79 , H01C7/115 , H01C7/12
Abstract: 本发明是有关用于因噪声、脉冲、静电等异常高电压需保护IC、LSI等半导体器件的陶瓷元件的制造方法，并且提供了一种利用降低元件阻抗，可改善除去、抑制信号线路中的高频噪声的陶瓷元件。为达到上述目的，本发明在电极(2)之间至少施加1次脉冲电压，上述脉冲电压的条件是，最大值为50kV以下，从初始值到最大值的时间为200纳秒以下，从前述初始值经最大值回到初始值的时间为1微秒以下，能量为0.5焦耳以下。
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