公开(公告)号：CN1287435C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN03149193.6

申请日：2003-06-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 濑尾晓 ,  松田隆幸 ,  南出隆广

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/31 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/02 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/01078

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在由半导体元件、多层布线层、接合凸垫(204)、钝化膜(206)等形成的晶片(202)上涂敷缓冲涂敷膜(208)之后，通过曝光、显影，对缓冲涂敷膜(208)图形化，将缓冲涂敷膜(208)中位于接合凸垫(204)、划线区域(210)上的部分、以及位于外周区域(218)上的部分除去，形成开口部(208a)。然后，在晶片(202)的表面上通过粘接糊(220)粘贴表面保护带(212)的状态下，采用研磨液对晶片的背面进行研磨。在外周区域(218)中包含划线区域(210)的开口部(208a)采用粘接糊(220)堵塞，不使研磨液侵入。从而可以防止在晶片的背面研磨工艺中所产生的研磨屑从晶片的周边部侵入。

公开(公告)号：CN1494152A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03159897.8

申请日：2003-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒江诚 ,  薮俊树 ,  加藤义明 ,  上田哲也 ,  濑尾晓

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，在具有MIM电容的半导体装置中形成高容量高可靠性的MIM电容。本发明的半导体装置备有设置在半导体基片(101)上的层间绝缘膜(204)和埋入上述层间绝缘膜(204)，与上述半导体基片(101)导通的配线(208a)、(208c)，MIM电容(201)具有由金属构成的第1和第2电极(208b)、(214b)和由电介质构成的电容绝缘膜(210)，上述第1电极(208b)埋入上述层间绝缘膜(204)中，上述电容绝缘膜(210)设置在上述第1电极(208b)上，上述第2电极(214b)是通过上述电容绝缘膜(210)与上述第1电极(208b)对置设置的金属层。

公开(公告)号：CN1241264C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN03159897.8

申请日：2003-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒江诚 ,  薮俊树 ,  加藤义明 ,  上田哲也 ,  濑尾晓

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，在具有MIM电容的半导体装置中形成高容量高可靠性的MIM电容。本发明的半导体装置备有设置在半导体基片(101)上的层间绝缘膜(204)和埋入上述层间绝缘膜(204)，与上述半导体基片(101)导通的配线(208a)、(208c)，MIM电容(201)具有由金属构成的第1和第2电极(208b)、(214b)和由电介质构成的电容绝缘膜(210)，上述第1电极(208b)埋入上述层间绝缘膜(204)中，上述电容绝缘膜(210)设置在上述第1电极(208b)上，上述第2电极(214b)是通过上述电容绝缘膜(210)与上述第1电极(208b)对置设置的金属层。

公开(公告)号：CN100463176C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510102919.2

申请日：2005-09-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 濑尾晓 ,  上田哲也 ,  筒江诚

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有MIM电容器，该电容器包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜、由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下电极、形成在下电极上的电容器绝缘膜、和由形成在电容器绝缘膜上的第二金属膜组成的上电极。该半导体器件还具有由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下互连、和由形成在下互连上的第二金属膜组成的上互连。该上互连和该上电极形成为一体。

公开(公告)号：CN1750265A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510102919.2

申请日：2005-09-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 濑尾晓 ,  上田哲也 ,  筒江诚

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有MIM电容器，该电容器包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜、由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下电极、形成在下电极上的电容器绝缘膜和由形成在电容器绝缘膜上的第二金属膜组成的上电极。该半导体器件还具有由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下互连和由形成在下互连上的第二金属膜组成的上互连。该上互连和该上电极形成为一体。

公开(公告)号：CN1471147A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03149193.6

申请日：2003-06-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 濑尾晓 ,  松田隆幸 ,  南出隆广

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/31 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/02 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/01078

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在由半导体元件、多层布线层、接合凸垫(204)、钝化膜(206)等形成的晶圆(202)上涂敷缓冲涂敷膜(208)之后，通过曝光、显影，对缓冲涂敷膜(208)图形化，将缓冲涂敷膜(208)中位于接合凸垫(204)、划线区域(210)上的部分、以及位于外周区域(218)上的部分除去，形成开口部(208a)。然后，在晶圆(202)的表面上通过粘接糊(220)粘贴表面保护带(212)的状态下，采用研磨液对晶圆的背面进行研磨。在外周区域(218)中包含划线区域(210)的开口部(208a)采用粘接糊(220)堵塞，不使研磨液侵入。从而可以防止在晶圆的背面研磨工艺中所产生的研磨屑从晶圆的周边部侵入。