公开(公告)号：CN1440098A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03106059.5

申请日：2003-02-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲生 ,  山根启嗣 ,  木户口勋 ,  藤森省司

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/028

Abstract: 一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。

公开(公告)号：CN1245788C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN03106059.5

申请日：2003-02-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲生 ,  山根启嗣 ,  木户口勋 ,  藤森省司

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/028

Abstract: 一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。