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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1440098A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03106059.5
申请日：2003-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/028
Abstract: 一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。
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公开(公告)号：CN1245788C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN03106059.5
申请日：2003-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028
Abstract: 一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。
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公开(公告)号：CN1604412A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410087416.8
申请日：2004-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/168 , H01S5/2206 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ECR溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。
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公开(公告)号：CN1319228C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410087416.8
申请日：2004-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ECR溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。
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公开(公告)号：CN1677777A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200410102402.9
申请日：2004-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器1，电流阻挡层19在发光端和发光端的相对一端覆盖在光学谐振器的纵向上延伸的p－型第二覆层17和p－型覆盖层18，在光波导中形成无电流注入区。发光端上的电流阻挡层19被制作得足够大，使得从电流注入区流入的载流子不会到达发光端面，分布在发光端面的近场内的光强度被高度集中，能够扩大发出的激光束的水平发散角度。这种结构有可能优化覆层厚度和电流注入区尺寸之后，独立地扩大水平发散角度。
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