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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1319228C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410087416.8
申请日：2004-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ECR溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。
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公开(公告)号：CN1638214A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410104664.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/0021 , H01S5/02272 , H01S5/2231 , H01S2301/14
Abstract: 提供一种半导体激光装置，由下至上依次层叠有n型半导体基板、n型金属包层、活性层、p型第1金属包层、电流块层、p型第2金属包层以及p型接触层。在p型接触层上形成p侧欧姆电极，在n型半导体基板的背面上形成n侧欧姆电极。在电流块层上形成在光谐振器方向延伸的条纹、在p型接触层的光谐振器方向的中央部，形成与条纹正交的狭缝。这样，能够防止在安装工序中半导体激光装置内部的变形所引起的动作寿命下降和激光特性恶化，提供可靠性。
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公开(公告)号：CN1604412A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410087416.8
申请日：2004-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/168 , H01S5/2206 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ECR溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。
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公开(公告)号：CN1440098A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03106059.5
申请日：2003-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/028
Abstract: 一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。
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公开(公告)号：CN1245788C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN03106059.5
申请日：2003-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028
Abstract: 一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。
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