公开(公告)号：CN100502035C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200410064033.9

申请日：2004-05-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 郡司浩幸 ,  大泷哲史

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66901 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。为了提高J-FET的浪涌电阻，在P++导电衬底1上形成P型外延层2和N型外延层3；在N型外延层3中形成N+导电源极扩散层4和漏极扩散层5、以及P+导电栅极扩散层6；形成相反导电类型扩散层的防短路层8使其与源极扩散层4和漏极扩散层5的侧壁相邻。利用此构造，可以在器件的表面区域防止由浪涌电压引起的击穿，及改善其浪涌电阻。经形成在器件表面上的保护绝缘膜9中的孔，与源极扩散层4相连的源极电极10和与漏极扩散层5相连的漏极电极11形成在器件的表面一侧。栅极电极12形成在衬底1的背面，且经形成在器件中的接触扩散层7与栅极扩散层6相连。

公开(公告)号：CN100502036C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200480038581.2

申请日：2004-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 沟口修二 ,  山中光浩 ,  郡司浩幸

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7808

Abstract: 本发明公开了纵型栅极半导体装置及其制造方法。作为晶体管发挥作用的第一区域11，具有：漏极区域111；本体区域112，形成在漏极区域111的上侧；源极区域113A，形成在本体区域112的上侧；以及沟渠，形成在本体区域112且埋人有栅极电极120。在延伸于第二区域12的本体区域112的上侧形成有源极区域113B。

公开(公告)号：CN1898801A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200480038581.2

申请日：2004-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 沟口修二 ,  山中光浩 ,  郡司浩幸

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7808

Abstract: 本发明公开了纵型栅极半导体装置及其制造方法。作为晶体管发挥作用的第一区域11，具有：漏极区域111；本体区域112，形成在漏极区域111的上侧；源极区域113A，形成在本体区域112的上侧；以及沟渠，形成在本体区域112且埋入有栅极电极120。在延伸于第二区域12的本体区域112的上侧形成有源极区域113B。

公开(公告)号：CN1574389A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410064033.9

申请日：2004-05-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 郡司浩幸 ,  大泷哲史

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66901 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。为了提高J－FET的浪涌电阻，在P++导电衬底1上形成P型外延层2和N型外延层3；在N型外延层3中形成N+导电源极扩散层4和漏极扩散层5以及P+导电栅极扩散层6；形成相反导电类型扩散层的防短路层8使其与源极扩散层4和漏极扩散层5的侧壁相邻。利用此构造，可以在器件的表面区域防止由浪涌电压引起的击穿，及改善其浪涌电阻。经形成在器件表面上的保护绝缘膜9中的孔，与源极扩散层4相连的源极电极10和与漏极扩散层5相连的漏极电极11形成在器件的表面一侧。栅极电极12形成在衬底1的背面，且经形成在器件中的接触扩散层7与栅极扩散层6相连。