公开(公告)号：CN100578749C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200680047075.9

申请日：2006-10-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土师宏 ,  大园满 ,  笠井辉明 ,  野田和宏

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/67092 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10S438/976 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1195 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1983 ,  Y10T156/1994

Abstract: 提供了能够高速拾取芯片且不损伤芯片的芯片拾取装置和芯片拾取方法，以及芯片剥离装置和芯片剥离方法。芯片拾取装置通过使用拾取嘴(20)吸着而保持芯片，由此拾取附着在基片(5)上的芯片(6)。在芯片拾取装置中，通过将诸如橡胶的挠性弹性体形成为球形而设置的基片上推件(24)安装在位于剥离工具(22)上表面上的邻接支持面上，当拾取嘴(20)下降时，使得基片上推件(24)的上推面依从基片(5)的下表面成平面状并邻接该基片，以及当拾取嘴(20)随芯片(6)上升时，通过使该上推面变形成上凸曲面形状而向上推基片(5)的下表面。因此，基片(5)和芯片(6)可以从芯片的外端侧剥离。

公开(公告)号：CN101036224A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580033895.8

申请日：2005-10-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土师宏 ,  有田洁 ,  中川显 ,  野田和宏

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 在包括由在半导体晶片上分别网格状排列的假想分割线以及作为半导体晶片外边界轮廓的圆周线划分的多个假想分割区域的半导体晶片中，放置掩模来使得与各个去除区域相对应的全部晶片表面露出，其中去除区域是由晶片的圆周线和假想分割线划分的近似三角形区域以及一些假想分割区域，然后在掩模放置侧表面执行等离子体蚀刻，由此半导体晶片沿分割线被分割成单独的半导体器件，同时晶片中对应于去除区域的部分被去除。

公开(公告)号：CN100589239C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200580033895.8

申请日：2005-10-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土师宏 ,  有田洁 ,  中川显 ,  野田和宏

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 在包括由在半导体晶片上分别网格状排列的假想分割线以及作为半导体晶片外边界轮廓的圆周线划分的多个假想分割区域的半导体晶片中，放置掩模来使得与各个去除区域相对应的全部晶片表面露出，其中去除区域是由晶片的圆周线和假想分割线划分的近似三角形区域以及一些假想分割区域，然后在掩模放置侧表面执行等离子体蚀刻，由此半导体晶片沿分割线被分割成单独的半导体器件，同时晶片中对应于去除区域的部分被去除。

公开(公告)号：CN101331601A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047075.9

申请日：2006-10-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土师宏 ,  大园满 ,  笠井辉明 ,  野田和宏

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/67092 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10S438/976 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1195 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1983 ,  Y10T156/1994

Abstract: 提供了能够高速拾取芯片且不损伤芯片的芯片拾取装置和芯片拾取方法，以及芯片剥离装置和芯片剥离方法。芯片拾取装置通过使用拾取嘴(20)吸着而保持芯片，由此拾取附着在基片(5)上的芯片(6)。在芯片拾取装置中，通过将诸如橡胶的挠性弹性体形成为球形而设置的基片上推件(24)安装在位于剥离工具(22)上表面上的邻接支持面上，当拾取嘴(20)下降时，使得基片上推件(24)的上推面依从基片(5)的下表面成平面状并邻接该基片，以及当拾取嘴(20)随芯片(6)上升时，通过使该上推面变形成上凸曲面形状而向上推基片(5)的下表面。因此，基片(5)和芯片(6)可以从芯片的外端侧剥离。