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公开(公告)号：CN1554015A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN02802042.1
申请日：2002-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01J5/0003
Abstract: 本发明的目的，在于：精确地测量出加热中的物体温度，并在正确的温度下对物体进行热处理。在衬底10的热处理工序中，在测量衬底10背面的辐射率ε时，衬底10表面上形成有由能使辐射率ε改变的材料制成的膜，例如成为插塞15A的第一DPS膜15、成为电容下部电极17A的第二DPS膜17及成为电容上部电极20A的第三DPS膜20；而在衬底10的背面上则未形成由DPS膜等能使辐射率ε改变的材料制成的膜。
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公开(公告)号：CN1645575A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004769.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67115
Abstract: 本发明使光照射开始后的温度上升工序(开路控制工序)中的光照射强度具有分布，通过减轻被加热体的温度偏差可降低被加热体所受应力。本发明是一种光照射热处理方法，在容器内支持被加热体，通过上述被加热体的一个表面相对设置的平面状的光照射加热部件来热处理被加热体，其包括：从光照射加热部件向被加热体照射平面上具有强度分布的光，使被加热体的温度上升的工序。光照射开始后的开路控制工序中，通过对多个区域逐一设定光照射强度，可降低被加热体的温度偏差。从而，可以减轻应力，无变形、歪斜、弯曲、龟裂等并抑制埋入被加热体的半导体装置的特性变动，降低可靠性不良。
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公开(公告)号：CN100468654C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510004769.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67115
Abstract: 本发明使光照射开始后的温度上升工序(开路控制工序)中的光照射强度具有分布，通过减轻被加热体的温度偏差可降低被加热体所受应力。本发明是一种光照射热处理方法，在容器内支持被加热体，通过上述被加热体的一个表面相对设置的平面状的光照射加热部件来热处理被加热体，其包括：从光照射加热部件向被加热体照射平面上具有强度分布的光，使被加热体的温度上升的工序。光照射开始后的开路控制工序中，通过对多个区域逐一设定光照射强度，可降低被加热体的温度偏差。从而，可以减轻应力，无变形、歪斜、弯曲、龟裂等并抑制埋入被加热体的半导体装置的特性变动，降低可靠性不良。
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公开(公告)号：CN1979862A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610164072.5
申请日：2006-12-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/146 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/822 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/761 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/8236 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/0883
Abstract: 本发明提供一种集成电路、包括集成电路的固体摄像器件以及它们的制造方法，该集成电路具有阈值电压、调制度的偏差小且调制度大的第2导电类型晶体管中具有阈值电压不同的晶体管的、增强型和耗尽型两种MOS晶体管。本发明的集成电路包括：具有包含第1导电类型杂质的阱区的半导体衬底；和形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型MOS晶体管及多个耗尽型MOS晶体管；耗尽型MOS晶体管的至少一个晶体管，在沟道区具有注入用于调整阈值电压的第2导电类型杂质的注入区域；注入区域具有第1导电类型杂质和第2导电类型杂质，第2导电类型杂质的浓度比第1导电类型杂质的浓度还高。
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