公开(公告)号：CN1554015A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN02802042.1

申请日：2002-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田聪 ,  平濑顺司 ,  杉山龙男 ,  金崎惠美 ,  川濑文俊 ,  内藤康志

IPC: G01J5/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01J5/0003

Abstract: 本发明的目的，在于：精确地测量出加热中的物体温度，并在正确的温度下对物体进行热处理。在衬底10的热处理工序中，在测量衬底10背面的辐射率ε时，衬底10表面上形成有由能使辐射率ε改变的材料制成的膜，例如成为插塞15A的第一DPS膜15、成为电容下部电极17A的第二DPS膜17及成为电容上部电极20A的第三DPS膜20；而在衬底10的背面上则未形成由DPS膜等能使辐射率ε改变的材料制成的膜。

公开(公告)号：CN1119345A

公开(公告)日：1996-03-27

申请号：CN95116832.0

申请日：1995-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉山龙男 ,  平尾秀司 ,  矢野航作 ,  野村登

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80141 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 在于第1半导体衬底的表面上形成第1电极和第1电极所用的绝缘膜的同时，在第2半导体衬底的表面上形成第2电极和第2电极所用的绝缘膜。在第1半导体衬底的表面上形成具有一定周期的剖面为锯齿形的带状凹凸图形，同时在第2半导体衬底的表面上形成对第1半导体衬底的表面的凹凸图形相移180度的带状凹凸图形。使第1半导体衬底与第2半导体衬底在表面的凹凸图形相互咬合的状态下相互结合。

公开(公告)号：CN1109216A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94115769.5

申请日：1994-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野航作 ,  杉山龙男 ,  上田聪 ,  野村登

IPC: H01L21/74

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基板的一主面上部分地形成第一层布线层之后，在半导体基板的一主面和第一层布线层上边，在整个面上形成第一层硅氧化膜。在第一层硅氧化膜上边，在整个面上形成由环六甲基二硅氮烷构成的分子层之后，在该分子层上，利用用臭氧和四乙氧基硅烷进行反应的CVD法形成第二层硅氧化膜。在第二层硅氧化膜上边部分地形成第二层布线层。

公开(公告)号：CN1050694C

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN94115769.5

申请日：1994-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野航作 ,  杉山龙男 ,  上田聪 ,  野村登

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基板的一主面上部分地形成第一层布线层之后，在半导体基板的一主面和第一层布线层上边，在整个面上形成第一层硅氧化膜。在第一层硅氧化膜上边，在整个面上形成由环六甲基二硅氮烷构成的分子层之后，在该分子层上，利用用臭氧和四乙氧基硅烷进行反应的CVD法形成第二层硅氧化膜。在第二层硅氧化膜上边部分地形成第二层布线层。

公开(公告)号：CN1118520A

公开(公告)日：1996-03-13

申请号：CN95104227.0

申请日：1995-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野航作 ,  杉山龙男 ,  上田聪 ,  野村登

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基片上用铝或铝合金形成第一层金属布线。在形成了第一层金属布线的半导体基片上，在500℃以下的温度下依次形成用作第一层间绝缘膜的第一SiO2膜及用作第二层间绝缘膜的SOG膜。在SOG膜上形成具有憎水性的分子层后，在该分子层上形成第二SiO2膜，作为第三层间绝缘膜。将第一SiO2膜、SOG膜及第二SiO2膜经过刻蚀，形成所要求的形状后，在第二SiO2膜上形成第二层金属布线。