-
公开(公告)号：CN101080813A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200680001378.7
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 青井信雄
IPC: H01L21/768 , H01L21/312 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/02118 , H01L21/312 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76835
Abstract: 一种多层配线结构，其在由铜构成的下层配线上的层间绝缘膜中形成有上层配线，并且由铜构成的下层配线和上层配线经由在层间绝缘膜中形成的连通路连接。并且，层间绝缘膜的与下层配线相接的层由以在芳香环内含有具有孤立电子对的氮原子的芳香族化合物为主成分的层形成。
-
公开(公告)号：CN1514850A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN03800393.7
申请日：2003-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 青井信雄
IPC: C08G73/10 , C08G73/18 , C08G73/22 , C08G85/00 , H01L21/312
CPC classification number: C08J5/18 , C08G73/10 , H01L21/02118 , H01L21/02203 , H01L21/312
Abstract: 通过在溶液中使作为路易斯酸的第1单体和作为路易斯碱的第2单体进行路易斯酸碱反应，生成由第1单体和第2单体通过弱电相互作用相结合而成的单体加成物。然后，将含有单体加成物的溶液涂敷在基板上，形成由单体加成物组成的超分子固体薄膜后，加热该超分子固体薄膜，在超分子固体薄膜的内部使第1单体和第2单体进行聚合反应，由此形成高分子薄膜。
-
公开(公告)号：CN1310322C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN03148937.0
申请日：2003-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 青井信雄
IPC: H01L23/532 , H01L21/312
CPC classification number: C09D4/00 , Y10T428/31909 , Y10T428/31931 , C08F238/00
Abstract: 提供一种介电常数和吸湿性低、机械强度优异的层间绝缘膜。本发明的层间绝缘膜是由具有取代乙炔基且可在三维方向上聚合的第1单体，例如具有取代乙炔基的金刚烷衍生物，与具有取代环戊烯酮基且可在二维方向上聚合的第2单体，例如具有取代环戊烯酮基的芳香族衍生物三维聚合得到的聚合物构成的。
-
公开(公告)号：CN1842903A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000989.5
申请日：2005-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C14/16 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C14/027 , C23C14/16 , H01L21/76846
Abstract: 半导体装置包括：在硅衬底1上形成的绝缘膜6、在绝缘膜6中形成的埋入布线10、以及在绝缘膜6和埋入布线10之间形成的金属阻挡膜Al。金属阻挡膜Al由金属化合物膜7和即使被氧化也不失去导电性的金属膜9的叠层膜所构成，在金属化合物膜7和金属膜9的接合面附近，存在有金属化合物膜7和金属膜9融合而形成的融合层8。
-
公开(公告)号：CN1842902A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000982.3
申请日：2005-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置包括：在硅衬底1上形成的绝缘膜6，在绝缘膜6中形成的埋入金属布线8，以及在绝缘膜6与金属布线8之间形成的金属阻挡膜7。金属阻挡膜是金属化合物膜，金属化合物膜包含构成绝缘膜6的元素中的至少1个。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100447979C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200580021240.9
申请日：2005-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6)、在绝缘膜(6)中形成的埋入金属布线(10)、以及在绝缘膜(6)与金属布线(10)之间形成的金属阻挡膜(A1)。金属阻挡膜(A1)包括自绝缘膜(6)所在的那一侧朝着金属布线(10)所在的那一侧依次叠层形成的金属氧化物膜(7)、金属化合物膜(8)及金属膜(9)。金属化合物膜(8)的弹性率大于金属氧化物膜(7)的弹性率。
-
公开(公告)号：CN100446193C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200410081695.7
申请日：2004-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 青井信雄
CPC classification number: B05D1/62 , B05D7/52 , B05D7/56 , C09D4/00 , C09D183/04 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , C08G77/00 , C08G77/04
Abstract: 具有低介电率、高热安定性、高机械强度及高铜扩散防止性的层间绝缘膜，在不使制造装置工作效率降低的情况下廉价形成。具有硅氧烷键的有机硅化合物，例如1、3-二苯基-1、1、3、3-四甲基二硅氧烷等作为热解化学气相沉积法原料使用，不需要将该原料进行热聚合而是汽化后以单体的状态导入反应室，通过使其离子聚合，在衬底上形成具有硅氧烷部位和有机分子部位相互成键结构主链的有机无机混合绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN1973367A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580021240.9
申请日：2005-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6)、在绝缘膜(6)中形成的埋入金属布线(10)、以及在绝缘膜(6)与金属布线(10)之间形成的金属阻挡膜(A1)。金属阻挡膜(A1)包括自绝缘膜(6)所在的那一侧朝着金属布线(10)所在的那一侧依次叠层形成的金属氧化物膜(7)、金属化合物膜(8)及金属膜(9)。金属化合物膜(8)的弹性率大于金属氧化物膜(7)的弹性率。
-
公开(公告)号：CN1842904A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000997.X
申请日：2005-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6，8)、在绝缘膜(6，8)中形成的埋入布线(14)、以及在绝缘膜(6，8)和埋入布线(14)之间形成的金属阻挡膜(Al)。金属阻挡膜(Al)由绝缘膜(6，8)所在的一侧向埋入布线(14)所在的一侧依序叠层形成的金属氧化物膜(11)、迁移层(12a)以及金属膜(13)构成；迁移层(12a)由具有金属氧化物膜(11)的组成及金属膜(13)的组成的大体中间组成的单一原子层所构成。
-
公开(公告)号：CN1655329A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410081695.7
申请日：2004-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 青井信雄
IPC: H01L21/31
CPC classification number: B05D1/62 , B05D7/52 , B05D7/56 , C09D4/00 , C09D183/04 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , C08G77/00 , C08G77/04
Abstract: 具有低介电率、高热安定性、高机械强度及高铜扩散防止性的层间绝缘膜，在不使制造装置工作效率降低的情况下廉价形成。具有硅氧烷键的有机硅化合物，例如1、3－二苯基－1、1、3、3－四甲基二硅氧烷等作为热解化学气相沉积法原料使用，不需要将该原料进行热聚合而是汽化后以单体的状态导入反应室，通过使其离子聚合，在衬底上形成具有硅氧烷部位和有机分子部位相互成键结构主链的有机无机混合绝缘膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.033 seconds)
