表面处理方法和半导体装置的制造装置

    公开(公告)号:CN1509494A

    公开(公告)日:2004-06-30

    申请号:CN02810062.X

    申请日:2002-03-25

    CPC classification number: H01J37/32935 H01J37/32963 H01L21/2236

    Abstract: 本发明提供一种表面处理方法,其特征为,包括:通过等离子体使物质等离子体化,生成第一等离子体化物质及第二等离子体化物质的等离子体化工序;开始向基体导入通过该等离子体而等离子体化的该第一等离子体化物质的开始工序;终止向该基体导入该第一等离子体化物质的终止工序;在该终止工序前观测通过该等离子体而等离子体化的该第二等离子体化物质状态的观测工序;和根据该观测工序的观测结果,控制表示从该开始工序直到该终止工序为止的时间的等离子体处理时间的控制工序,使表示向该基体导入的第一等离子体化物质的总量的总剂量成为所希望的总剂量。

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