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公开(公告)号:CN1698159B
公开(公告)日:2010-08-18
申请号:CN200480000559.9
申请日:2004-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/10 , C23C14/081 , C23C14/564 , H01J9/20 , H01J2209/012 , H01L21/68778
Abstract: 一种等离子显示屏的制造方法,其在向等离子显示屏的基板成膜中,通过恰当地控制成膜室的状态而能形成良好的膜。其是具有把前面基板(3)保持在基板保持器(30)上进行成膜的成膜工序的显示屏的制造方法,在成膜时基板保持器(30)被反复使用,成膜工序,把由反复使用而附着了膜的状态的基板保持器(30)与除去附着的膜的状态的基板保持器(30)混合在成膜室即蒸镀室(21)中并且进行该成膜工序,这样来减少蒸镀室(21)内的真空度等的状态变化。
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公开(公告)号:CN1509494A
公开(公告)日:2004-06-30
申请号:CN02810062.X
申请日:2002-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01L21/2236
Abstract: 本发明提供一种表面处理方法,其特征为,包括:通过等离子体使物质等离子体化,生成第一等离子体化物质及第二等离子体化物质的等离子体化工序;开始向基体导入通过该等离子体而等离子体化的该第一等离子体化物质的开始工序;终止向该基体导入该第一等离子体化物质的终止工序;在该终止工序前观测通过该等离子体而等离子体化的该第二等离子体化物质状态的观测工序;和根据该观测工序的观测结果,控制表示从该开始工序直到该终止工序为止的时间的等离子体处理时间的控制工序,使表示向该基体导入的第一等离子体化物质的总量的总剂量成为所希望的总剂量。
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公开(公告)号:CN1698159A
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN200480000559.9
申请日:2004-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/10 , C23C14/081 , C23C14/564 , H01J9/20 , H01J2209/012 , H01L21/68778
Abstract: 一种等离子显示屏的制造方法,其在向等离子显示屏的基板成膜中,通过恰当地控制成膜室的状态而能形成良好的膜。其是具有把前面基板(3)保持在基板保持器(30)上进行成膜的成膜工序的显示屏的制造方法,在成膜时基板保持器(30)被反复使用,成膜工序,把由反复使用而附着了膜的状态的基板保持器(30)与除去附着的膜的状态的基板保持器(30)混合在成膜室即蒸镀室(21)中并且进行该成膜工序,这样来减少蒸镀室(21)内的真空度等的状态变化。
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