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公开(公告)号：CN100567596C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200580005839.3
申请日：2005-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/36 , C30B9/00 , C30B9/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
Abstract: 提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。
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公开(公告)号：CN1922346A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005839.3
申请日：2005-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/36 , C30B9/00 , C30B9/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
Abstract: 提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。
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公开(公告)号：CN1922345A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN1938458A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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公开(公告)号：CN101558188B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880001092.8
申请日：2008-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100466178C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200480038996.X
申请日：2004-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
IPC: H01L21/208 , C30B11/06 , C30B19/02 , C30B29/38
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg，然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长，从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料，因此即使在晶体中混入Mg，晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性，在电子器件的应用中不成问题。另外，通过使上述助熔剂含有Mg，在助熔剂中氮的溶解量增大，从而能够以快速生长速率进行晶体生长，晶体生长的重现性也得以提高。
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公开(公告)号：CN100564616C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN101558188A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200880001092.8
申请日：2008-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。
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公开(公告)号：CN100535200C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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公开(公告)号：CN1898778A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038996.X
申请日：2004-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
IPC: H01L21/208 , C30B11/06 , C30B19/02 , C30B29/38
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg，然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长，从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料，因此即使在晶体中混入Mg，晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性，在电子器件的应用中不成问题。另外，通过使上述助熔剂含有Mg，在助熔剂中氮的溶解量增大，从而能够以快速生长速率进行晶体生长，晶体生长的重现性也得以提高。
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