公开(公告)号：CN117916898A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202380013405.6

申请日：2023-03-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 保西祐弥 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  水野幸民 ,  山崎六月 ,  西田靖孝 ,  和田淳 ,  吉尾纱良 ,  山本和重

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725

Abstract: 一种制造实施方案的太阳能电池的方法，包括在基底上形成p电极；在p电极上形成含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物作为主要成分的膜；以及将含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物作为主要成分的膜氧化。氧化的氧分压为5000[Pa]以上且200000[Pa]以下。氧化的水蒸气浓度为9.4×10‑1[g/m3]以上且2.5×103[g/m3]以下。氧化的温度为40[℃]以上且150[℃]以下。氧化的持续时间为10[秒]以上且150[分钟]以下。

公开(公告)号：CN116075945A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180061553.6

申请日：2021-07-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 中川直之 ,  水野幸民 ,  保西祐弥 ,  芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  西田靖孝 ,  山本和重

IPC: H01L31/072

Abstract: 本发明所要解决的课题是提供转换效率优异的太阳能电池、太阳能电池的制造方法、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极、p电极上的包含氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的p型光吸收层、p型光吸收层上的n型层和n型层上的n电极，在p型光吸收层中，将从p型光吸收层与n型层的边界的位置起至朝向p电极侧为10nm的深度的位置为止的区域设定为第1区域，且将p型光吸收层的自从p型光吸收层与n型层的边界的位置起至朝向p电极侧为100nm的深度的位置为止的区域中除去第1区域以外的区域设定为第2区域的情况下，第1区域的HAADF‑STEM图像的亮度分布的最大亮度为第2区域的HAADF‑STEM图像的亮度分布的平均亮度的95％以上且105％以下。

公开(公告)号：CN115380392A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202080098175.4

申请日：2020-10-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 中川直之 ,  水野幸民 ,  芝崎聪一郎 ,  保西祐弥 ,  山崎六月 ,  平冈佳子 ,  山本和重

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0725

Abstract: 本发明解决的课题在于，提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)、n电极(5)、以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)、以及具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或者具有第1n区域及第2n区域的n型层(4)，第1n型层(4A)及第1n区域以由Gax1M1x2Ox3表示的化合物作为主体，M1为选自Hf、Zr、In、Zn、Ti、Al、B、Sn、Si及Ge中的一种以上，x1、x2及x3是大于0的数值，在将x1及x2之和设为2的情况下，x3为3.0～3.8，第2n型层(4B)及第2n区域以由Gay1Zny2M2y3M3y4Oy5表示的化合物作为主体，M2为Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Si及Ge，M3为Sn和/或Mg，y1、y2、y3及y4为0以上的数值，并且y3与y4之和大于0，在将y1、y2、y3及y4之和设为2的情况下，y5为2.2～3.6。

公开(公告)号：CN113853687A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202080037621.0

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 保西祐弥 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  平冈佳子 ,  山本和重

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368

Abstract: 实施方式提供了具有改进的转换效率的太阳能电池、层叠体、多结太阳能电池、太阳能电池组件和太阳能发电系统。根据实施方式的太阳能电池(100)包括透明的第一电极(1)，第一电极(1)上的第一半导体层(2)，第一半导体层(2)上的第二半导体层(3)，以及第二半导体层(3)上的透明的第二电极(4)；其中，凹槽(5)规则地存在于第一半导体层(2)的面向第二半导体层(3)侧的表面上。

公开(公告)号：CN108630765A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710794498.7

申请日：2017-09-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  盐川美雪 ,  中川直之 ,  山本和重 ,  保西祐弥 ,  新井本武士

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/072

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1884

Abstract: 提供一种改善了转换效率的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具备具有透光性的基板、具有多个金属部且具有透光性的第1电极、设置于所述第1电极上且吸收光的光吸收层和设置于所述光吸收层上且具有透光性的第2电极6。

公开(公告)号：CN106549070B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201610789142.X

申请日：2016-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  盐川美雪 ,  齐藤仁美 ,  山崎六月 ,  山本和重

IPC: H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0475 ,  Y02E10/541

Abstract: 实施方式涉及光电转换元件、太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。根据实施方式的光电转换元件，可提供开路电压高的光电转换元件。实施方式的光电转换元件具备第1电极、第2电极和光吸收层，该光吸收层在第1电极与第2电极之间含有具有Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素的黄铜矿型化合物，在从第2电极侧的光吸收层的主面向第1电极侧的方向到10nm的深度的区域中，包含光吸收层中的Ib族元素浓度为0.1atom％以上且10atom％以下的区域。

公开(公告)号：CN106549070A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610789142.X

申请日：2016-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  盐川美雪 ,  齐藤仁美 ,  山崎六月 ,  山本和重

IPC: H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0475 ,  Y02E10/541

Abstract: 实施方式涉及光电转换元件、太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。根据实施方式的光电转换元件，可提供开路电压高的光电转换元件。实施方式的光电转换元件具备第1电极、第2电极和光吸收层，该光吸收层在第1电极与第2电极之间含有具有Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素的黄铜矿型化合物，在从第2电极侧的光吸收层的主面向第1电极侧的方向到10nm的深度的区域中，包含光吸收层中的Ib族元素浓度为0.1atom％以上且10atom％以下的区域。

公开(公告)号：CN102484164B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180003677.5

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中川直之 ,  樱田新哉 ,  西田靖孝 ,  伊藤聪 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提高化合物薄膜太阳能电池的转换效率或品质寿命，并提高化合物薄膜太阳能电池的性能。化合物薄膜太阳能电池(100)的特征在于：光吸收层和缓冲层形成接合界面，与所述光吸收层形成接合界面的缓冲层是含有选自Cd、Zn、In及Ga之中的至少1种元素以及选自S、Se及Te之中的至少1种元素、且具有闪锌矿型结构、纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构中的任一种晶体结构的化合物，闪锌结构的缓冲层的晶格常数a或者将纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构转换为闪锌矿型结构时的所述缓冲层的晶格常数a为0.59nm～0.62nm。

公开(公告)号：CN117981093A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280058377.5

申请日：2022-08-31

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 吉尾纱良 ,  和田淳 ,  保西祐弥 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  水野幸民 ,  山崎六月 ,  若松浩大 ,  西田靖孝 ,  山本和重

IPC: H01L31/0463 ,  H01L31/0352

Abstract: 根据实施方式，太阳能电池(110)包含第一导电层(11)、第一对置导电层(11o)以及第一光电转换层(21)。第一对置导电层(11o)包含第一导电区域(11a)。从第一导电层(11)朝向第一导电区域(11a)的方向沿着第一方向(D1)。第一光电转换层(21)包含第一光电转换区域(21a)和第二光电转换区域(21b)。第一光电转换区域(21a)在第一方向(D1)上设置于第一导电层(11)与第一导电区域(11a)之间。第二光电转换区域(21b)的沿着第一方向(D1)的第二厚度(t2)比第一光电转换区域(21a)的沿着第一方向(D1)的第一厚度(t1)薄。

公开(公告)号：CN111868941B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202080001906.9

申请日：2020-02-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  保西祐弥 ,  山崎六月 ,  中川直之 ,  吉尾纱良 ,  平冈佳子 ,  山本和重

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/072 ,  H01L31/078 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 实施方式提供透光性优异的层叠薄膜的制造方法、太阳能电池的制造方法、多结型太阳能电池的制造方法及太阳能电池模块的制造方法。实施方式的层叠薄膜的制造方法包含通过采用以铜为主成分的靶在氧分压为0.01[Pa]以上且4.8[Pa]以下的气氛中在第1透明电极上进行溅射来成膜光电转换层的工序；在所述光电转换层的成膜中，满足所述氧分压为上述范围内，且在将沉积速度设定为d[μm/min]时，所述氧分压为0.5×d[Pa]以上且1.5×d[Pa]以下；在所述光电转换层的成膜中，为300℃以上且600℃以下。(56)对比文件J. Gan等.Influence of target power onproperties of CuxO thin films prepared byreactive radio frequency magnetronsputtering《.THIN SOLID FILMS》.2015,250-255.A. Sivasankar Reddy等.Properties ofdc magnetron sputtered Cu2O filmsprepared at different sputteringpressures《.APPLIED SURFACE SCIENCE》.2007,5287-5292.