公开(公告)号：CN102484164B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180003677.5

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中川直之 ,  樱田新哉 ,  西田靖孝 ,  伊藤聪 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提高化合物薄膜太阳能电池的转换效率或品质寿命，并提高化合物薄膜太阳能电池的性能。化合物薄膜太阳能电池(100)的特征在于：光吸收层和缓冲层形成接合界面，与所述光吸收层形成接合界面的缓冲层是含有选自Cd、Zn、In及Ga之中的至少1种元素以及选自S、Se及Te之中的至少1种元素、且具有闪锌矿型结构、纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构中的任一种晶体结构的化合物，闪锌结构的缓冲层的晶格常数a或者将纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构转换为闪锌矿型结构时的所述缓冲层的晶格常数a为0.59nm～0.62nm。

公开(公告)号：CN102683596B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201210071371.X

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大冈青日 ,  齐藤三长 ,  细矢雅弘 ,  岩永宽规 ,  稻叶道彦

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/447 ,  H01L27/304 ,  Y02E10/549

Abstract: 根据实施例，太阳能电池组件包括太阳能电池装置(1)和支持太阳能电池装置(1)的支持结构(21a、21b)。太阳能电池装置(1)是带状的太阳能电池装置，包括布置在一个方向(X1)上以致其主表面彼此面对的多个第一部分(1a)，以及插入第一部分(1a)之间的第二部分(1b)。第一部分(1a)的与太阳能电池装置(1)的一对长边相对应的边缘彼此平行。相邻的两个第一部分(1a)相对于方向(X1)向前地以及向后地倾斜。第二部分(1b)包括一个以上的平面或者曲面，以使相邻的两个第一部分(1a)彼此连接。

公开(公告)号：CN102683594A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210066992.9

申请日：2012-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高山晓 ,  中尾英之 ,  小野昭彦 ,  稻叶道彦

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

CPC classification number: H01L51/447 ,  H01L27/301 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/549

Abstract: 根据一个实施例的有机薄膜太阳能电池组件(100)包括多个太阳能电池板(1)和多个反射面(2)。每个板(1)包括基板(3)、第一电极、第二电极和光电转换层。当假定第一平面(1)包括反射面(2)，第一交线作为第一平面(63)与基板(3)的第二主表面的交线，以及第二平面(64)包括第一交线，并且第二平面(64)与基板(3)的第二主表面形成45°的角度以及与第一平面(63)形成小于45°的角度时，光电转换层的边缘与第二平面(64)接触或者第二平面(64)与光电转换层相交。

公开(公告)号：CN103503160B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201280022016.1

申请日：2012-04-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  中川直之 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/0322 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明实施方案的光电转换元件,其特征在于,该元件具有：p型光吸收层,该p型光吸收层含有Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少1种以上的IIIb族元素、与由O、S、Se及Te构成的组中的至少1种以上的元素;以及,上述p型光吸收层上形成的n型半导体层,该n型半导体层为Zn1?yMyO1?XSX、Zn1?y?zMgzMyO(M为选自由B、Al、In及Ga构成的组中的至少1种元素)与由控制载流子浓度的GaP表示的任何一种,在上述Zn1?yMyO1?XSX及Zn1?y?zMgzMy中，x、y、z满足0.55≤x≤1.0、0.001≤y≤0.05及0.002≤y+z≤1.0的关系。

公开(公告)号：CN104465845A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410440200.9

申请日：2014-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  山本和重 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦 ,  齐藤仁美

IPC: H01L31/0725

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/042

Abstract: 本实施方式提供一种转换效率高的多接合型太阳能电池。本实施方式的多接合型太阳能电池，具有：第1太阳能电池，所述第1太阳能电池具有第1光电转换元件；第2太阳能电池，所述第2太阳能电池将多个第2光电转换元件串联连接，并为背接触；绝缘层，所述绝缘层存在于第1太阳能电池与第2太阳能电池之间，在串联连接了的第2光电转换元件间具有元件分离区域。

公开(公告)号：CN85109419B

公开(公告)日：1988-06-08

申请号：CN85109419

申请日：1985-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹村百子 ,  稻叶道彦 ,  铁矢俊夫 ,  小林三男

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/27 ,  B23K35/001 ,  B23K35/302 ,  B23K2035/008 ,  H01L23/4924 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体器件，其芯片是用锡－－铜合金焊料固定到引线架上的。其中第一层金属层是插置于芯片和焊料中间的。形成的第一金属层的厚度在２０００Ａ°到３μｍ的范围之内，是由钛、铬、钒、锆、铌中选取的一种金属，或至少包括一种上述金属的一种合金构成的。由镍、钴或至少含有一种上述金属的一种合金制备的第二金属层插置在第一层金属和焊料之间，其厚度小于第一金属层。

公开(公告)号：CN105449019A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510602894.6

申请日：2015-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  平贺广贵 ,  齐藤仁美 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/043 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/036 ,  H01L31/042 ,  H01L31/1876

Abstract: 实施方式的目的在于提高光电转换元件的剥离耐性。实施方式涉及光电转换元件、太阳能电池以及光电转换元件的制造方法。所述光电转换元件至少具有基板、在基板上具有电极层和界面中间层的下部电极、以及在界面中间层上形成的光吸收层；界面中间层是由电极层中含有的Mo或者W、和选自S、Se以及Te之中的至少1种元素X构成的化合物薄膜；在界面中间层中，具有结晶相和覆盖结晶相的非晶相。

公开(公告)号：CN105449009A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510598542.8

申请日：2015-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  山本和重 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  齐藤仁美 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072

Abstract: 实施方式的目的在于：提供开路电压较高的光电转换元件以及太阳能电池。实施方式涉及一种光电转换元件，其至少具有下部电极、在下部电极上的中间层、在中间层上的p型光吸收层、以及在p型光吸收层上的n层，其中，下部电极为第1金属膜或者半导体膜，在下部电极为金属膜的情况下，所述中间层包含氧化物膜或者硫化物膜，在下部电极为半导体膜的情况下，中间层包含第2金属膜和在第2金属膜上的氧化物膜或者硫化物膜。

公开(公告)号：CN103534817A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280022012.3

申请日：2012-04-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  H01L31/032 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明实施方案的光电转换元件,其特征在于,具有:光吸收层,该光吸收层含Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少一种IIIb族元素、与S或Se,且具有黄铜矿型结构;以及,由Zn、与O或S构成的缓冲层；从上述光吸收层与上述缓冲层的界面10nm中的上述缓冲层的S/(S+O)比为0.7以上1.0以下。

公开(公告)号：CN103503159A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280022004.9

申请日：2012-04-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0336 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明的目的是提供高转换效率的光电转换元件及太阳能电池。实施方案的光电转换元件,其特征在于,具有:光吸收层,该光吸收层含Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少一种IIIb族元素、与S或Se,且具有黄铜矿型结构;以及,由Zn、与O或S构成的缓冲层；上述缓冲层的用S/(S+O)表示的摩尔比为0.7以上、1.0以下,并且结晶粒径为10nm以上、100nm以下。