公开(公告)号：CN106104790A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201480074654.7

申请日：2014-10-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中冢圭祐 ,  宫川正 ,  穗谷克彦 ,  浜本毅司 ,  竹中博幸

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1695 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 根据一个实施例，一种磁阻存储器件包括：衬底，其具有包括第一方向的第一表面；以及存储元件，每个存储元件具有可切换电阻。第一列存储元件不同于相邻第二列存储元件，所述第一列存储元件沿着所述第一方向排成行，所述第二列存储元件沿着所述第一方向在所述第一方向上的存储元件位置处排成行。

公开(公告)号：CN1121248A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN94120460.X

申请日：1994-12-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中井弘人 ,  宫川正 ,  松田茂

IPC: G11C14/00

CPC classification number: G11C29/34 ,  G11C16/16 ,  G11C29/26

Abstract: 闪烁型非易失性半导体存储器，可在用短时间作区组擦去功能校核的同时实施其它功能区组的校核。通过数字锁存电路70、寻址电路71和输出数据转换电路72把区组译码器3的输出引出到进行单元阵列1数据输入输出的电路9，故不进行区组擦去工作就能检验其是否正常进行，源电压供给电路2以单元区组单位将擦去电压加到由多个单元阵列区组1-8构成的单元源极线上。电路2按区组地址A*O-A*n选择单元源电压供给区组CSC1-CSC8。

公开(公告)号：CN105556608A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480047769.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫川正 ,  穗谷克彦 ,  饭冢真理子 ,  中泽崇 ,  竹中博幸

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C7/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  H01L43/08

Abstract: 一种半导体存储装置包括：基元阵列(11)，其包括在以第一角度与第一方向相交的方向上延伸的多个第一工作区(11中的AA)；以及位线控制器(17B1)，其包括在以第二角度与第一方向相交的方向上延伸的多个第二工作区(17B1中的AA)。

公开(公告)号：CN1046369C

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN94120460.X

申请日：1994-12-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中井弘人 ,  宫川正 ,  松田茂

IPC: G11C14/00

CPC classification number: G11C29/34 ,  G11C16/16 ,  G11C29/26

Abstract: 闪烁型非易失性半导体存储器，可在用短时间作区组擦去功能校核的同时实施其它功能区组的校核。通过数字锁存电路70、寻址电路71和输出数据转换电路72把区组译码器3的输出引出到进行单元阵列1数据输入输出的电路9，故不进行区组擦去工作就能检验其是否正常进行。源电压供给电路2以单元区组单位将擦去电压加到由多个单元阵列区组1-8构成的单元源极线上。电路2按区组地址A*O-A*n选择单元源电压供给区组CSC1-CSC8。