公开(公告)号：CN102290391B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110066789.7

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  井本孝志 ,  武部直人 ,  石田胜广 ,  本田友巳 ,  熊谷靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01R43/00

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48476 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及半导体器件的制造装置。根据一个实施例，一种半导体器件包括第一半导体元件、第一电极、球部、第二电极、以及线。所述第一电极被电连接到所述第一半导体元件。所述球部被设置在所述第一电极上。所述线连接所述球部和所述第二电极。位于所述线的与所述第二电极相反的一侧的端部处的折返部的厚度小于所述线的直径。

公开(公告)号：CN102290391A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110066789.7

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  井本孝志 ,  武部直人 ,  石田胜广 ,  本田友巳 ,  熊谷靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01R43/00

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48476 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及半导体器件的制造装置。根据一个实施例，一种半导体器件包括第一半导体元件、第一电极、球部、第二电极、以及线。所述第一电极被电连接到所述第一半导体元件。所述球部被设置在所述第一电极上。所述线连接所述球部和所述第二电极。位于所述线的与所述第二电极相反的一侧的端部处的折返部的厚度小于所述线的直径。