公开(公告)号：CN110192266B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 株式会社力森诺科 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN109937468B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201780070214.8

申请日：2017-12-11

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介 ,  坂东章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 提供一种p型SiC外延晶片的制造方法，具有设定原料气体中的C元素与Si元素的比率即投入原料C/Si比的工序；以及在上述原料气体、分子内包含Cl的Cl系气体以及分子内包含Al和C的掺杂剂气体存在的成膜气氛下在基板上形成p型SiC外延膜而得到Al掺杂剂浓度为1×1018cm‑3以上的p型SiC外延晶片的工序，上述投入原料C/Si比基于包含上述掺杂剂气体所含的C元素的成膜气氛中的C元素与Si元素的比率即总气体C/Si比来设定，上述投入原料C/Si比与上述总气体C/Si比不同，上述投入原料C/Si比为0.8以下。

公开(公告)号：CN110520966B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880025453.6

申请日：2018-05-09

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  渥美广范

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明一方案的成膜装置，具备：成膜室即成膜空间；成膜处理前室；向成膜空间供给原料的原料供给口；用于对晶片的温度进行测定的开口部，所述晶片载置于在所述成膜空间内配置的载置台的晶片载置面上；以及将所述成膜空间与成膜处理前室进行间隔的间隔板，所述原料供给口位于与所述间隔板同一面、或比所述间隔板靠所述成膜空间侧的位置，所述开口部位于比所述间隔板靠所述成膜处理前室侧的位置。

公开(公告)号：CN109841542B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201811380441.3

申请日：2018-11-20

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C30B29/36 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；和加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置，在与所述加热器的所述基座侧的第1面相对的所述基座的被辐射面形成有凹凸。

公开(公告)号：CN109075038B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201780012924.5

申请日：2017-02-27

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  株式会社力森诺科

Inventor： 铃木邦彦 ,  池谷尚久 ,  深田启介 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  藤林裕明 ,  上东秀幸 ,  内藤正美 ,  原一都 ,  青木宏文 ,  小泽隆弘

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。

公开(公告)号：CN110637109A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN110637109B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN110192266A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。