公开(公告)号：CN110192266B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 株式会社力森诺科 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN109075038B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201780012924.5

申请日：2017-02-27

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  株式会社力森诺科

Inventor： 铃木邦彦 ,  池谷尚久 ,  深田启介 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  藤林裕明 ,  上东秀幸 ,  内藤正美 ,  原一都 ,  青木宏文 ,  小泽隆弘

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。

公开(公告)号：CN110137241B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201910102205.3

申请日：2019-02-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上东秀幸

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅半导体基底包括第一导电类型基底电类型并且具有30mΩcm或更小的电阻率。第一导电类型基底中的少数载流子的寿命设定为100纳秒或更少。(1)，其掺杂有第一导电类型杂质以具有第一导

公开(公告)号：CN110192266A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN111384158B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201911364732.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L23/367 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN115516624A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180031629.0

申请日：2021-03-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 福冈大辅 ,  上东秀幸 ,  梅泽昌义 ,  大岛正范 ,  上泷领二 ,  平野敬洋

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 形成在半导体元件的两面上的主电极与对应的热沉连接。发射极电极经由接线柱(60)而与热沉(50)连接。在接线柱(60)中，热沉侧的端面(60b)呈具有平行于X方向的两个边(61a、61b)和平行于Y方向的两个边(61c、61d)的矩形。热沉(50)经由焊料(91)而与接线柱(60)的端面(60b)连接。热沉(50)在与接线柱(60)对置的对置面(50a)上具有与接线柱(60)连接的连接区域(51)和将连接区域(51)包围而收容剩余的焊料(91)的槽(52)。槽(52)设置为，在平面视图下与端面(60b)的4边中的仅一个或仅两个重叠。

公开(公告)号：CN104641469B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380048022.9

申请日：2013-09-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上东秀幸 ,  内藤正美 ,  森野友生

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。

公开(公告)号：CN118263285A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311728699.9

申请日：2023-12-15

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 上东秀幸

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种碳化硅晶片以及使用了该碳化硅晶片的碳化硅半导体装置。碳化硅晶片具备由SiC构成的基板(10)、以及由SiC构成并配置于基板上的外延层(20)，并具有形成半导体元件的芯片形成区域、以及包围芯片形成区域的外周区域。外延层在芯片形成区域中通过DLTS法导出的0.10～0.20eV的活化能中的陷阱密度设为1.0×1013cm‑3以下，基板通过SIMS法测定的Ti密度以及Cr密度分别设为1.0×1017cm‑3以下。

公开(公告)号：CN117917779A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311340342.3

申请日：2023-10-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 上东秀幸

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 碳化硅(SiC)晶片具备由SiC构成的衬底和由SiC构成并配置在衬底上的外延层。从衬底侧朝向外延层，碳空位的浓度连续地减小，衬底构成为，碳空位的浓度为3.0×1015cm－3以上。

公开(公告)号：CN111383911B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201911366053.4

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。