公开(公告)号：CN110637109A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN110637109B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN109075038A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780012924.5

申请日：2017-02-27

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所

Inventor： 铃木邦彦 ,  池谷尚久 ,  深田启介 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  藤林裕明 ,  上东秀幸 ,  内藤正美 ,  原一都 ,  青木宏文 ,  小泽隆弘

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/6719 ,  B01F3/028 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45587 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/205

Abstract: 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。

公开(公告)号：CN110192266A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN1481030A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03152590.3

申请日：2003-08-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 片冈光浩 ,  竹内有一 ,  内藤正美 ,  拉杰什·库马尔 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种碳化硅(SiC)衬底，设有偏取向{0001}表面，该偏取向{0001}表面的偏轴方向是 。沟槽形成在碳化硅上，以具有朝向 方向延伸的条形结构。在沟槽的内表面上形成碳化硅外延层。

公开(公告)号：CN103320762B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310093006.3

申请日：2013-03-22

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  株式会社电装

Inventor： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。

公开(公告)号：CN110192266B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 株式会社力森诺科 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN104641469B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380048022.9

申请日：2013-09-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上东秀幸 ,  内藤正美 ,  森野友生

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。

公开(公告)号：CN104641469A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048022.9

申请日：2013-09-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 上东秀幸 ,  内藤正美 ,  森野友生

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。

公开(公告)号：CN103320762A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310093006.3

申请日：2013-03-22

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  株式会社电装

Inventor： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。