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公开(公告)号：CN112436153A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011056143.6
申请日：2015-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/80 , H01M50/124 , H01M50/103 , H01M50/136 , H01M50/543 , H01M50/557 , H01M50/552 , H01M10/04
Abstract: 本发明题为具有二次电池的电子设备。当作为二次电池的外包装体使用膜时，膜的强度比金属罐较弱，在从外部施加力量的情况下，有可能损伤配置在外包装体的内部的集流体或设置在集流体表面上的活性物质层等。本发明的一个方式的目的之一是提供一种即使从外部施加力量也实现耐久性高的二次电池。在二次电池的中央部设置开口部，在开口部中形成端子。通过热压合二次电池的外侧边缘被固定。并且，通过热压合二次电池的中央部被固定，因此即使弯曲二次电池的外侧边缘弯曲的程度也能得到控制。
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公开(公告)号：CN105098197B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201510267032.2
申请日：2015-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明题为具有二次电池的电子设备。当作为二次电池的外包装体使用膜时，膜的强度比金属罐较弱，在从外部施加力量的情况下，有可能损伤配置在外包装体的内部的集流体或设置在集流体表面上的活性物质层等。本发明的一个方式的目的之一是提供一种即使从外部施加力量也实现耐久性高的二次电池。在二次电池的中央部设置开口部，在开口部中形成端子。通过热压合二次电池的外侧边缘被固定。并且，通过热压合二次电池的中央部被固定，因此即使弯曲二次电池的外侧边缘弯曲的程度也能得到控制。
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公开(公告)号：CN103985763B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201410196055.4
申请日：2008-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1218
Abstract: 本发明涉及半导体装置和显示装置，其目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括：设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜；在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜；在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜；以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。
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公开(公告)号：CN107104109A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710362808.8
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: G11C19/184 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , H01L27/0248 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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公开(公告)号：CN103035192B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201210378806.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C19/184 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , H01L27/0248 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101685796B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200910207607.6
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。
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公开(公告)号：CN103985763A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410196055.4
申请日：2008-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1218
Abstract: 本发明涉及半导体装置和显示装置，其目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括：设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜；在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜；在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜；以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。
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公开(公告)号：CN101685829B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN200910207613.1
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 交通工具、显示器和半导体器件的制造方法提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。
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公开(公告)号：CN101685829A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910207613.1
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。
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公开(公告)号：CN100576595C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN03158666.X
申请日：2003-09-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/529 , H01L27/3244 , H01L51/5246 , H01L51/5253
Abstract: 本发明的目的是解决上述使用含有氟树脂的膜(聚四氟乙烯(R))作为元件的保护膜时产生的释放热的问题，以及解决因氟元素引起的金属材料腐蚀的问题。因此，本发明采用在形成元件后形成无机绝缘膜，最后形成含有氟树脂的膜的叠层结构，这样就使含有氟树脂的膜不与元件的金属材料接触而形成，从而达到防止因含有氟树脂的膜中的氟元素引起金属材料腐蚀的目的。无机绝缘膜具有防止含有氟树脂的膜中的氟元素和金属材料起反应的功能(即阻挡性)。而且，该无机绝缘膜采用高导热性的材料形成以便释放元件产生的热。
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