公开(公告)号：CN102867736B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201210352567.6

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L2221/68368 ,  Y10T428/14

Abstract: 本发明的名称为转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法，其目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且，本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件，典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括：在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体；通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座；用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体，然后将待要剥离的物体键合到转移部件上；以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。

公开(公告)号：CN103258839B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310079220.3

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  B60R11/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B60R1/00 ,  B60R11/0229 ,  B60R11/04 ,  B60R2011/004 ,  B60R2300/202 ,  B60R2300/802 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。

公开(公告)号：CN1945856B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200610159801.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/00 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/76275 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。

公开(公告)号：CN1893000B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200610099724.1

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 半导体器件的制造方法，本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。

公开(公告)号：CN102290422A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110266551.9

申请日：2003-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/707 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0054 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/326 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供显示装置及其制造方法、剥离方法及发光装置的制造方法。本发明提供一种简化剥离工序、而且对于大型基板均匀进行剥离、转印的方法。本发明的特征在于：同时进行剥离工序中的第1粘接剂的剥离和第2粘接剂的硬化，简化制造工序。另外，本发明的特征在于：深入研究将至半导体元件的电极形成后的被剥离层转印到规定基板上的时刻。本发明的特征在于：特别地，在大型基板上已形成多个半导体元件的状态下进行剥离时，利用压力差，吸附基板，进行剥离。

公开(公告)号：CN101232042B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810001287.4

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浜谷敏次 ,  高山彻

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3211 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3218 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/504 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 提供具有高清晰度、高孔径比、和高可靠性的发光装置。本发明通过内部形成叠层部分，用使用红、绿和蓝色发光的全色平板显示器实现高清晰度和高孔径比，其中相邻发光元件的不同有机化合物层的部分互相重叠，而不依赖于形成有机化合物层的方法或膜形成精度。

公开(公告)号：CN101562190B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910145438.8

申请日：2003-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  福本由美子

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L23/14 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L23/12 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/524 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够防止由于水份或氧气进入而导致损坏的半导体装置，例如具有形成于塑料基片上的有机发光装置的发光设备、采用塑料基片的液晶显示设备。根据本发明，在玻璃基片或石英基片上形成的装置(TFT、具有有机化合物的发光装置、液晶装置、存储装置、薄膜二极管、销连接硅光电转换器、硅电阻元件等)从基片上分离，并转移至具有高热导率的塑料基片上。

公开(公告)号：CN1894803B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200480037686.6

申请日：2004-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  藤井严 ,  丸山纯矢 ,  高山彻 ,  福本由美子 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786 ,  G06K19/067

CPC classification number: G06K19/07749 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684

Abstract: IC卡比磁卡要贵得多，电子标签作为条形码的替代物也要贵得多。因此，本发明的目的是提供与传统硅晶片的芯片不同、能低成本大量生产的极薄集成电路以及该集成电路的制造方法。本发明的一个特征是通过能够选择性地形成图形的形成方法，在除大块基板之外的玻璃基板、石英基板、不锈钢基板、由例如丙烯的具有柔性的合成树脂所制成的基板等上面形成薄型集成电路。此外，本发明的一个特征是形成其中装配有根据本发明的薄膜集成电路和天线的ID芯片。

公开(公告)号：CN1893118B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610099725.6

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。

公开(公告)号：CN100472752C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200610099974.5

申请日：1994-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  安达广树 ,  宫永昭治 ,  高山彻

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明的目的是，在使用促进结晶化的催化剂元素于550℃进行4小时加热处理而得到结晶性硅的方法中，精确地控制催化剂元素的引入量。在玻璃衬底11上形成的无定形硅膜12，进而在该无定形硅膜12上形成掩膜21，将含有10～200ppm(需调整)镍等催化剂元素的乙酸盐溶液(或其它水溶液)14滴下。在该状态下保持一定的时间，用旋转器15进行旋转干燥，然后在550℃进行4小时加热处理，得到结晶性硅膜。