公开(公告)号：CN107591316A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710788148.X

申请日：2013-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。

公开(公告)号：CN104380473A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380028160.0

申请日：2013-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。

公开(公告)号：CN101529591A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780039505.7

申请日：2007-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇 ,  斋藤利彦

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/112 ,  G11C17/16 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种对于写入和读出可利用相同的电压值对存储元件进行操作的存储器件的结构。本发明涉及一种存储器件，其包括存储元件和将施加到存储元件的用于写入(或读出)的电压的极性改变成与用于读出(或写入)的电压的极性不同极性的电路。存储元件包括第一导电层、形成于第一导电层之上的硅膜、以及形成于硅膜之上的第二导电层。存储元件的第一导电层与第二导电层是使用不同的材料形成的。

公开(公告)号：CN101064333A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100944.6

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇 ,  加藤清

IPC: H01L27/28 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01L27/13

Abstract: 本发明的目的在于提供一种存储器件，该存储器件包括使用了有机材料的存储元件，在制造时以外也可以写入数据。本发明的存储器件的特征在于：在存储单元中，在提供有n型杂质区域和p型杂质区域的半导体膜上层叠有第三导电膜、有机化合物、第四导电膜，并且pn结二极管和存储元件串联连接。控制存储单元的逻辑电路由薄膜晶体管构成。将存储单元和逻辑电路同时形成在同一衬底上。与形成薄膜晶体管的杂质区域同时制造存储单元的n型杂质区域和p型杂质区域。

公开(公告)号：CN1841766A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610059761.X

申请日：2006-03-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 磯部敦生 ,  德永肇 ,  山口真弓

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明的目的是通过制造步骤减少了的工艺来制造具有LDD区的细小TFT，并制作具有适合于各个电路的结构的TFT。本发明的另一目的是即使在具有LDD区的TFT中，也确保开态电流。借助于形成其中栅电极下层的栅长度大于栅电极上层的栅长度的双层栅电极，来形成帽形栅电极。借助于利用抗蚀剂凹陷宽度而仅仅腐蚀栅电极的上层，来形成帽形栅电极。此外，硅化物被形成在布线与半导体膜的接触部分中，以便降低接触电阻。

公开(公告)号：CN107068767A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710155210.1

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤贵洋 ,  中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  德永肇 ,  神长正美

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN101458966B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN200810190316.6

申请日：2008-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇

IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C17/16 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明“存储器及半导体装置”提供一种存储器，它包括具有第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的硅层的存储元件。所述存储元件可以处于“第一状态”、“第二状态”及“第三状态”。对处于所述第一状态的所述存储元件写入第一数据，结果使第一电极的电位比所述第二电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第二状态。对处于所述第一状态的所述存储元件写入第二数据，结果使第二电极的电位比所述第一电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第三状态。

公开(公告)号：CN103779423A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310511688.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN102646681A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210109887.9

申请日：2007-09-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/12 ,  H01L23/525 ,  G11C17/16 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L27/11206 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/1255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 目的是提供一种安装有存储器的半导体器件，该存储器可在由无线信号生成的电流值和电压值的范围内被驱动。另一个目的是提供一写多读存储器，可在制造半导体器件之后的任意时间将数据写入该存储器。天线、反熔丝型ROM和驱动器电路形成于绝缘衬底上。在反熔丝型ROM中包括的一对电极中，该对电极中的另一个与驱动器电路中所包括的晶体管的源电极和漏电极也通过同一步骤和相同的材料形成。

公开(公告)号：CN101064333B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200710100944.6

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇 ,  加藤清

IPC: H01L27/28 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01L27/13

Abstract: 本发明的目的在于提供一种存储器件，该存储器件包括使用了有机材料的存储元件，在制造时以外也可以写入数据。本发明的存储器件的特征在于：在存储单元中，在提供有n型杂质区域和p型杂质区域的半导体膜上层叠有第三导电膜、有机化合物、第四导电膜，并且pn结二极管和存储元件串联连接。控制存储单元的逻辑电路由薄膜晶体管构成。将存储单元和逻辑电路同时形成在同一衬底上。与形成薄膜晶体管的杂质区域同时制造存储单元的n型杂质区域和p型杂质区域。