层叠基板的制造方法、制造装置以及程序

    公开(公告)号:CN111133556B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN201880062261.2

    申请日:2018-10-09

    Abstract: 将两个基板接合来制造层叠基板的制造方法包括:获取与多个基板的结晶结构相关的信息的获取阶段;以及基于与结晶结构相关的信息,决定相互接合的两个基板的组合的决定阶段。在上述制造方法中,也可以与结晶结构相关的信息包括接合面的面方位以及与接合面平行的方向的结晶方位中的至少一方。另外,在上述制造方法中,也可以在决定阶段中,决定两个基板的接合后的位置偏移量在预先决定的阈值以下的组合。

    位置对准方法以及位置对准装置

    公开(公告)号:CN111656487A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201980010298.5

    申请日:2019-04-11

    Abstract: 本发明提供一种对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准方法,包含:测量从配置于两个基板中的至少一个基板的多个标记中选择出的标记的位置的阶段;以及基于测量出的标记的位置,对两个基板进行位置对准的阶段,被测量的标记基于与至少一个基板的形变相关的信息来选择。标记也可以是配置于至少一个基板的形变量小于阈值的区域的标记。标记也可以是配置于在至少一个基板上产生的形变的再现性大于阈值的区域的标记。

    位置对准方法以及位置对准装置

    公开(公告)号:CN111656487B

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN201980010298.5

    申请日:2019-04-11

    Abstract: 本发明提供一种对层叠的两个基板进行位置对准的位置对准方法,包含:测量从配置于两个基板中的至少一个基板的多个标记中选择出的标记的位置的阶段;以及基于测量出的标记的位置,对两个基板进行位置对准的阶段,被测量的标记基于与至少一个基板的形变相关的信息来选择。标记也可以是配置于至少一个基板的形变量小于阈值的区域的标记。标记也可以是配置于在至少一个基板上产生的形变的再现性大于阈值的区域的标记。

    层叠基板的制造方法、制造装置以及程序

    公开(公告)号:CN111133556A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201880062261.2

    申请日:2018-10-09

    Abstract: 将两个基板接合来制造层叠基板的制造方法包括:获取与多个基板的结晶结构相关的信息的获取阶段;以及基于与结晶结构相关的信息,决定相互接合的两个基板的组合的决定阶段。在上述制造方法中,也可以与结晶结构相关的信息包括接合面的面方位以及与接合面平行的方向的结晶方位中的至少一方。另外,在上述制造方法中,也可以在决定阶段中,决定两个基板的接合后的位置偏移量在预先决定的阈值以下的组合。

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