公开(公告)号：CN1196208C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN98811697.9

申请日：1998-08-14

Applicant: 株式会社新王磁材 ,  春山俊一

Inventor： 春山俊一 ,  山下治 ,  贞富信裕 ,  西乡恒和

IPC: H01L35/14 ,  H01L21/44 ,  H01L35/34 ,  H01L29/43 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L35/22 ,  H01B1/04 ,  H01L23/49872 ,  H01L23/49883 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5328 ,  H01L35/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 在室温下，其电阻率为10-3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料，而且还能够进行生产并且进行处理，这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素，可以获得电阻率为10-6(Ω.m)或者更低的导电材料，这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术，可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状，一种棒状，或者一种线状，而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状，它可以用于很多需要导电的应用中，包括需要一种导电片材料的应用中。

公开(公告)号：CN1280707A

公开(公告)日：2001-01-17

申请号：CN98811697.9

申请日：1998-08-14

Applicant: 住友特殊金属株式会社 ,  春山俊一

Inventor： 春山俊一 ,  山下治 ,  贞富信裕 ,  西乡恒和

IPC: H01L35/14 ,  H01L21/44 ,  H01L35/34 ,  H01L29/43 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L35/22 ,  H01B1/04 ,  H01L23/49872 ,  H01L23/49883 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5328 ,  H01L35/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 在室温下,其电阻率为10－3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料,而且还能够进行生产并且进行处理,这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素,可以获得电阻率为10－6(Ω.m)或者更低的导电材料,这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术,可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状,一种棒状,或者一种线状,而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状,它可以用于很多需要导电的应用中,包括需要一种导电片材料的应用中。